1) AlN ceramic
AlN陶瓷
1.
AlN ceramic with density 3.
利用低温燃烧合成前驱物制备出平均粒度为100 nm的AlN陶瓷粉末,比较了该粉末的常压烧结和放电等离子烧结的特性。
2.
The effects of adding CaO?Y 2O 3?YF 3 and (Y,Ca)F 3 on relative density,thermal conductivity,dielectric constnt,dielectric loss et al of AlN ceramic plate material are studied.
本文研究了掺杂成分CaO、Y2 O3 、YF3 、(Y ,Ca)F3 对臭氧发生器用AlN陶瓷基板材料的相对密度、热导率、介电常数、介质损耗等性能的影响。
3.
AlN ceramic with density 3.
利用低温燃烧合成前驱物制备出平均粒度为100 nm的AlN陶瓷粉末,比较了该粉末的常压烧结和放电等离子烧结的特性。
2) AlN ceramics
AlN陶瓷
1.
time,temperature and pressure,on sintering charac- teristics of AlN ceramics were studied.
0GPa)下实现了未添加烧结助剂的AlN陶瓷体的烧结。
4) AlN-BN ceramics
AlN-BN陶瓷
5) AIN-TiB2 ceramic
AlN-TiB_2陶瓷
6) transparent AlN ceramics
透明AlN陶瓷
1.
Microstructure and optical property of transparent AlN ceramics by spark plasma sintering with CaF_2;
CaF_2助剂放电等离子烧结透明AlN陶瓷的微观结构和光学性能
补充资料：aluminium nitride material AlN
分子式：
CAS号：
性质： 该材料有陶瓷型和薄膜型两种。氮化铝热导率高、绝缘性能好，电阻率高达4×106Ω·cm。热膨胀系数小(2.65～3.80)×10-6K-1，化学性能稳定，在1000℃时才与空气发生氧化。在真空中可稳定到1500℃。致密型氮化铝是抗水的，几乎不与浓无机酸发生反应。密度为3.26g/cm3，熔点2400℃，弹性模量为300～310GPa，抗弯强度为280～350MPa，莫氏硬度为8。A1N陶瓷用粉末冶金法制得。氮化铝薄膜用反应溅射法制得。A1N陶瓷片用于大功率半导体集成电路和大功率的厚膜电路，A1N薄膜用于薄膜器件的介质和耐磨、耐热、散热好的材料表面镀层。
CAS号：
性质： 该材料有陶瓷型和薄膜型两种。氮化铝热导率高、绝缘性能好，电阻率高达4×106Ω·cm。热膨胀系数小(2.65～3.80)×10-6K-1，化学性能稳定，在1000℃时才与空气发生氧化。在真空中可稳定到1500℃。致密型氮化铝是抗水的，几乎不与浓无机酸发生反应。密度为3.26g/cm3，熔点2400℃，弹性模量为300～310GPa，抗弯强度为280～350MPa，莫氏硬度为8。A1N陶瓷用粉末冶金法制得。氮化铝薄膜用反应溅射法制得。A1N陶瓷片用于大功率半导体集成电路和大功率的厚膜电路，A1N薄膜用于薄膜器件的介质和耐磨、耐热、散热好的材料表面镀层。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条