1) MOCVD
金属有机化学气相沉积
1.
The Influential Factors of MOCVD Growth of InP in Opals;
金属有机化学气相沉积法在欧泊空隙中生长磷化铟的影响因素
2.
Latest progress on preparation of ferroelectric thin films prepared by MOCVD process;
金属有机化学气相沉积制备铁电薄膜材料研究进展
3.
The deposition process was carried out in nitrogen by atmospheric pressure metal-organic chemical vapor deposition(MOCVD) with aluminum-tri-sec-butoxide(ATSB) as the precursor.
以仲丁醇铝(ATSB)为前驱物、氮气为载气,用金属有机化学气相沉积法(MOCVD)在HP40钢表面沉积了Al2O3薄膜。
2) Metalorganic chemical vapor deposition
金属有机化学气相沉积
1.
Phosphorus-doped p-type ZnO thin films are prepared on glass substrates by metalorganic chemical vapor deposition.
利用金属有机化学气相沉积方法在玻璃衬底上生长了掺磷的p型ZnO薄膜。
2.
p-type zinc oxide (ZnO) thin films are grown by plasma-assisted metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD).
在n型ZnO体单晶片上,首次采用N等离子体辅助金属有机化学气相沉积方法外延生长了p型ZnO薄膜,制成了同质ZnO的发光二极管(LED)原型器件;在室温下,观察到同质ZnO的LED施加电压后由电注入激发出紫外至绿光波段的光谱。
3) metal-organic chemical vapor deposition
金属有机化学气相沉积
1.
High quality ZnO films are successfully grown on Si(100) substrates by metal-organic chemical vapor deposition at 300℃.
采用金属有机化学气相沉积方法,在Si(100)衬底上生长出具有高度C轴择优取向的ZnO薄膜。
2.
The ZnO films, grown on sapphire or silicon substrates, have been investigated by several methods such as Molecular Beam Epitaxy, Sputtering, and metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) and so on.
生长ZnO薄膜材料的方法很多,包括分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD)、脉冲激光沉积(PLD)、原子层外延、磁控溅射和蒸发等其中MBE、MOCVD和PLD等方法生长的ZnO薄膜质量较高。
4) MOCVD
有机金属化学气相沉积
1.
Effect of Growth Cycle on SiO_2-InP Fabricated by MOCVD;
生长周期对有机金属化学气相沉积法制备SiO_2-InP光子晶体的影响
5) AP-MOCVD
大气开放式金属有机化学气相沉积
6) MOCVD
金属有机化合物化学气相沉积
1.
Ir/C cluster films were prepared by MOCVD(metal-organic chemical vapor deposition) on quartz plate substrates using iridium-acetylacetonate as the precursor.
以乙酰丙酮铱为前驱体,采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)技术在石英片上沉积了Ir/C簇膜。
补充资料：《拜耳斯坦有机化学手册》
最完备的有机化合物手册。第 1版为曾留学德国的俄国人Ф.Ф.拜耳斯坦所编，因此得名。该手册提供各种有机化合物的资料和数据，对它们的物理性质、化学行为和外观，作了详细说明，并列有它们的制备和鉴别方法，内容丰富，数据齐全，并附有资料来源。该手册为有机化学研究工作中常用的重要工具书。
简史 第1版创编于1862年,共2卷,1881～1882年出版。第2版共3卷,1885～1889年出版。第3版共4卷,1892～1899年出版;后增加补编4卷和索引1卷,1900～1906年出版。自1896年起,由德国化学会负责编辑第4版。1918～1937年，由B.普拉格和P.杰考布森主编，出版了27卷，所收集文献的期限为1910年1月1日以前。1938～1940年，由F.里希特主编，出版了第28卷(主题索引)和29卷（分子式索引）。第30和31两卷内容为天然有机物。此31卷称为正编,代号为"H"，共收集20万种有机化合物的资料。1928～1938年，还出版了第1补编，收集了 1910～1919年的文献，也是27卷，各卷的内容分别与正编各卷相对应，代号为"EⅠ"。1941～1957年，出版了第2补编,收集了1920～1929年的文献，代号为"EⅡ"。其中第28卷为主题索引，第29卷为分子式索引，包括正编和第1、 2补编的内容。第3补编改由拜耳斯坦研究所负责编辑。前3卷仍由里希特主编，第4卷起,改由H.-G.鲍特主编，1958年开始出版，收集1930～1949年的文献，代号为"EⅢ"。第4补编从1972年开始出版，收集1950～1959年的文献，代号为"EⅣ"；自第17卷起，和第3补编合编为第3／第4补编，代号为"EⅢ/Ⅳ"；出齐后将达230册。现已开始编写的第5补编将收集1960～1979年的文献，并改用英文出版。
内容编排 该手册第 4版中将所包括的有机化合物分为4部,每部又分为若干卷。各化合物按其结构或取代基分别给一系统编号，全书共有4877个系统编号。其划分简介于下表：
每一有机化合物的著录项目有：化合物名称、分子式、结构式、历史概况、在自然界的存在、生成、制备、物理性质、化学性质、生理作用、工业用途、分析方法和数据、分子化合物和盐类、结构未定的反应产物、衍生物、文献。
索引 分为主题索引和分子式索引两种。分子式索引在正编中采用里希特体系，即主要按C、H、O、N、Cl、Br、I、F、S、P顺序,其余按字顺排列。自第2补编起改用希尔体系，即除C、H外均按字顺排列。
参考书目
O. Weissbach,The Beilstein Guide: A Manual for the Use of Beilsteins Handbuch der organischen Chemie,Springer-Verlag, Berlin,1976.
简史 第1版创编于1862年,共2卷,1881～1882年出版。第2版共3卷,1885～1889年出版。第3版共4卷,1892～1899年出版;后增加补编4卷和索引1卷,1900～1906年出版。自1896年起,由德国化学会负责编辑第4版。1918～1937年，由B.普拉格和P.杰考布森主编，出版了27卷，所收集文献的期限为1910年1月1日以前。1938～1940年，由F.里希特主编，出版了第28卷(主题索引)和29卷（分子式索引）。第30和31两卷内容为天然有机物。此31卷称为正编,代号为"H"，共收集20万种有机化合物的资料。1928～1938年，还出版了第1补编，收集了 1910～1919年的文献，也是27卷，各卷的内容分别与正编各卷相对应，代号为"EⅠ"。1941～1957年，出版了第2补编,收集了1920～1929年的文献，代号为"EⅡ"。其中第28卷为主题索引，第29卷为分子式索引，包括正编和第1、 2补编的内容。第3补编改由拜耳斯坦研究所负责编辑。前3卷仍由里希特主编，第4卷起,改由H.-G.鲍特主编，1958年开始出版，收集1930～1949年的文献，代号为"EⅢ"。第4补编从1972年开始出版，收集1950～1959年的文献，代号为"EⅣ"；自第17卷起，和第3补编合编为第3／第4补编，代号为"EⅢ/Ⅳ"；出齐后将达230册。现已开始编写的第5补编将收集1960～1979年的文献，并改用英文出版。
内容编排 该手册第 4版中将所包括的有机化合物分为4部,每部又分为若干卷。各化合物按其结构或取代基分别给一系统编号，全书共有4877个系统编号。其划分简介于下表：
每一有机化合物的著录项目有：化合物名称、分子式、结构式、历史概况、在自然界的存在、生成、制备、物理性质、化学性质、生理作用、工业用途、分析方法和数据、分子化合物和盐类、结构未定的反应产物、衍生物、文献。
索引 分为主题索引和分子式索引两种。分子式索引在正编中采用里希特体系，即主要按C、H、O、N、Cl、Br、I、F、S、P顺序,其余按字顺排列。自第2补编起改用希尔体系，即除C、H外均按字顺排列。
参考书目
O. Weissbach,The Beilstein Guide: A Manual for the Use of Beilsteins Handbuch der organischen Chemie,Springer-Verlag, Berlin,1976.
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条