1)  hcp crystal
					 
	
					
				
				 
	
					
				hcp晶体
				1.
					Based on the crystallographic structure and preferential growth direction of hcp crystal, a physical model of dendrite growth for the cast magnesium alloy was founded and a new stochastic simulation method named virtual growth center calculation model was proposed.
						
						根据hcp晶体学结构和优先生长方向,建立了铸造镁合金晶体生长的物理模型,提出了一种新的随机性模拟方法——虚拟生长中心计算模型。
					
					2)  fcc(γ)→hcp (ε) martensitic transformation
					 
	
					
				
				 
	
					
				fcc(γ)→hcp(ε)马氏体相变
			
					3)  hcp structure
					 
	
					
				
				 
	
					
				hcp结构
			
					4)  hop-type metal
					 
	
					
				
				 
	
					
				hcp型金属
				1.
					The situation of this F-S potential for description the liquid structures of those hop-type metals was analyzed.
						
						本文应用Finnis-Sinclair形式多体势对8种hcp型金属的液态结构进行了分子动力学模拟,分析了该F—S多体势对这几种hcp型金属液态结构的描述情况;并对金属Co进行了两个快速凝固分子动力学模拟,利用对分析技术说明了冷却速率对Co微观结构的影响。
					
					5)  hep(0001)surface
					 
	
					
				
				 
	
					
				hcp(0001)面
			
					6)  HCP gene
					 
	
					
				
				 
	
					
				HCP基因
				1.
					The aim of the study was to evaluate the role of the HCP gene in leukemogenesis.
					 
					
						
						 
					
						本研究旨在评价HCP基因突变在急性白血病发病中的作用。
					补充资料:晶体管-晶体管逻辑电路
		| 晶体管-晶体管逻辑电路 transistor-transistor logic 集成电路输入级和输出级全采用晶体管组成的单元门电路。简称TTL电路。它是将二极管-晶体管逻辑电路(DTL)中的二极管,改为使用多发射极晶体管而构成。TTL电路于1962年研制成功,基本门电路的结构和元件参数,经历了3次大的改进。同DTL电路相比,TTL电路速度显著提高,功耗大为降低。仅第一代TTL电路产品,就使开关速度比DTL电路提高5~10倍。采用肖特基二极管的第三代TTL电路,开关时间可缩短到3~5纳秒。绝大部分双极型集成电路,都是TTL电路产品。 | 
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