1) Orbal oxidation ditch
Orbal氧化沟
1.
Application of improved Orbal oxidation ditch in Kangding Wastewater Treatment Plant
改良型Orbal氧化沟在康定县污水处理厂中的应用
2.
Anaerobic hydrolysis and integral bio-selector Orbal oxidation ditch are adopted in Chengbei Wastewater Treatment Plant in Wuxi with a final design capacity of 20×104 m3/d.
无锡市城北污水处理厂设计规模为20×104m3/d,已建一期工程规模为5×104m3/d,二期工程扩建规模为5×104m3/d,污水处理工艺采用厌氧水解+组合生物选择器的Orbal氧化沟工艺,并增设了臭气处理装置。
3.
This experiment is one of the improved types of Orbal oxidation ditch technologies belonging to the sewage treatment engineering project to be carried out at the small town in western China supported by the Holland Grant Project.
该试验为荷兰赠款项目西部小城镇污水处理工程中的改良型Orbal氧化沟技术研究内容之一,为稳妥进行工程设计需进行现场同类Orbal氧化沟的测试。
2) Orbal oxidation ditch
Orbal型氧化沟
1.
Taking the Wastewater Treatment Plant of Datong Coal Mine as an example,the paper introduces the culture of activated sludge with Orbal oxidation ditch.
以同煤污水厂为例,介绍Orbal型氧化沟活性污泥的培养过程。
3) method of Orbal oxidation channel
Orbal氧化沟法
4) C-orbal oxidation ditch
C-Orbal氧化沟
1.
The sewage treatment uses the C-orbal oxidation ditch processing craft;sludge treatment uses the belt thickening and dewatering filters craft;the depth treatment craft uses the nitration biofilter processing craft.
新沂市沐东污水处理厂近期处理规模为2万m3/d,污水处理采用C-Orbal氧化沟处理工艺;污泥处理采用带式浓缩脱水一体机工艺;深度处理采用硝化生物滤池处理工艺。
5) Integrative orbal oxidation ditch
一体化Orbal氧化沟
6) Orbal oxidation
Orbal(奥贝尔)氧化沟
补充资料：N沟道金属-氧化物-半导体集成电路
以 N沟道 MOS场效应晶体管为基本元件的集成电路，简称NMOS。NMOS电路于1972年才研制成功。NMOS电路发展的主要困难，是在普通的工艺条件下NMOS电路所用的衬底材料P型硅表面容易自然反型或接近反型,因而难以制成作为开关元件的增强型MOS晶体管,而且元件之间也不易隔离。NMOS电路工艺比PMOS电路（见P沟道金属-氧化物-半导体集成电路工艺复杂。一般情况下,NMOS电路采用性能良好的硅栅结构(见图)。衬底是轻掺杂的P型硅,栅的材料为多晶硅。一条多晶硅栅及其左右两个N型扩散区连同衬底组成一个N沟道 MOS晶体管。硅栅MOS结构中,铝线扩散线和多晶硅线均能作为内部联线，所以有三层布线。铝线同多晶硅线，铝线同扩散线可以交叉（如图左右两侧）。
NMOS工艺的特点是：①用硅栅结构实现栅同源、漏边界的自对准，以减小寄生电容；②用局部氧化方法使场区氧化层的底边下沉，既能保证为提高场阈电压所需的场氧化层的足够厚度，又能降低片子表面台阶的高度，防止铝层断裂；③用离子注入掺杂工艺可提高硅表面杂质浓度,精确控制MOS晶体管和寄生场晶体管的阈值电压。
硅栅NMOS电路也具有自隔离的特点。工作时,P型衬底连接最低电位，使所有PN结处于反偏或零偏。由于电子迁移率比空穴迁移率约大三倍，NMOS电路比PMOS电路速度快。NMOS电路为正电源供电，且N沟道MOS晶体管阈值电压较低，所以NMOS电路可与TTL电路（见晶体管-晶体管逻辑电路共同采用+5伏电源。相互间的输入、输出开关阈值可以彼此兼容，而不像PMOS电路需要特殊的接口电路。NMOS技术发展很快，其大规模集成电路的代表性产品是各种高速、低功耗、大容量的存储器和微处理器。
参考书目
Arthur B.Glaser, Gerald E.Subak－Sharpe,Integrated Circuit
Engineering Design,Fabrication and Applications，1st ed., Addison Wesley Pub.Co.,Reading, Massachusetts,1977.
NMOS工艺的特点是：①用硅栅结构实现栅同源、漏边界的自对准，以减小寄生电容；②用局部氧化方法使场区氧化层的底边下沉，既能保证为提高场阈电压所需的场氧化层的足够厚度，又能降低片子表面台阶的高度，防止铝层断裂；③用离子注入掺杂工艺可提高硅表面杂质浓度,精确控制MOS晶体管和寄生场晶体管的阈值电压。
硅栅NMOS电路也具有自隔离的特点。工作时,P型衬底连接最低电位，使所有PN结处于反偏或零偏。由于电子迁移率比空穴迁移率约大三倍，NMOS电路比PMOS电路速度快。NMOS电路为正电源供电，且N沟道MOS晶体管阈值电压较低，所以NMOS电路可与TTL电路（见晶体管-晶体管逻辑电路共同采用+5伏电源。相互间的输入、输出开关阈值可以彼此兼容，而不像PMOS电路需要特殊的接口电路。NMOS技术发展很快，其大规模集成电路的代表性产品是各种高速、低功耗、大容量的存储器和微处理器。
参考书目
Arthur B.Glaser, Gerald E.Subak－Sharpe,Integrated Circuit
Engineering Design,Fabrication and Applications，1st ed., Addison Wesley Pub.Co.,Reading, Massachusetts,1977.
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条