1) semi-organic crystal
半有机晶体
2) organic crystal
有机晶体
1.
Growth of biological organic crystals modulated by monolayer and self-assemble monolayer;
单分子膜和自组装单分子膜调控生物有机晶体生长
2.
Carbon black as conducting particles and organic crystal was added.
采用炭黑为导电粒子,双组分聚氨酯为基体,并添加有机晶体,制备具有强PTC强度的非晶聚合物PTC涂料。
3.
The first experiment of growing the organic crystals of MNBA-Et (4 ′nitrobenzylidene-3 ethylcarbonylamino- 4 - methoxyaniline ) by the Czochralski method from the melt sare repolted in this paper.
用引上法第一次从熔体中生长了有机晶体４′－硝基亚苄基－３－丙酰胺基－４－甲氧基苯胺（ＭＮＢＡ－Ｅｔ）。
3) organic crystals
有机晶体
1.
A new idea has been put forward for conductive composites, that is, by adding organic crystals into amorphous PU matrix (coating) without PTC effect to prepare coatings with PTC effect.
本文在查阅大量国内外有关聚合物／CBPTC导电复合材料文献资料的基础上，提出向无PTC效应的非结晶性聚氨酯(PU)涂料基体中加入有机晶体以获得具有PTC效应的涂料的设想。
4) Organic semiconductors
有机半导体
1.
Scanning tunneling microscopy studies on the epitaxial growth of organic semiconductors;
有机半导体外延生长的扫描隧道显微镜研究
2.
Based on the spin diffusion theory and the Ohm s law,we theoretically studied the spin polarized injection and transport through the ferromagnetic/organic semiconductor/ferromagnetic system and obtained the current spin polarization,which takes into account the special characteristics of organic semiconductors.
根据有机半导体中的电流自旋极化注入和输运实验现象,理论上研究了铁磁/有机半导体/铁磁系统的电流自旋极化性质。
3.
A theory for carrier concentration in physically doped organic semiconductors has been presented based on Gaussian energy distribution of the lowest unoccupied molecular orbitals (LUMOs) and the highest occupied molecular orbitals (HOMOs) as well as the Fermi - Dirac distribution of carriers in allowed quantum states.
基于最低未被占据分子轨道(LUMO)和最高被占据分子轨道(HOMO)的高斯态密度分布与载流子在允许量子态中的费米-狄拉克(Fermi-Dirac)分布,提出有机半导体中物理掺杂的理论模型;研究了掺杂浓度、温度和禁带宽度对载流子浓度的影响,并与一些报道的实验结果做了比较。
5) organic semiconductor
有机半导体
1.
Study on PdPc/H_2PtCl_6 hybridized organic semiconductor poison gas sensor of porous electrode flat structure;
多孔电极平板结构的PdPc/H_2PtCl_6杂化有机半导体毒气传感器的研究
2.
The application of the surface photovoltage spectroscope in the organic semiconductor;
表面光电压谱(SPS)在有机半导体材料研究中的应用
3.
Analytical model of charge transport at organic semiconductor interfaces;
有机半导体异质界面电荷传输解析模型研究
6) organic salt crystal
有机盐晶体
补充资料：半导体材料晶体结构
半导体材料晶体结构
crystal structure of semiconductor
bondoot.eail旧0 Jingt一J旧gou半导体材料晶体结构(crystal Strueture。fsemieonduetor)决定半导体材料的基本物理特性，即原子或离子的长程有序的周期性排列。按空间点阵学说，晶体的内在结构可概括为一些相同点在空间有规则地作周期性的无限分布。点子的总体称为点阵，通过点阵的结点可作许多平行的直线组和平行的晶面二舞翅嚷组。这样，点阵就成网格，称为晶格。由于晶格的周期性，可取一个以格点为顶点、边长等于该方向上的周期…井汗…下洲物半导体中有部分呈黄铜矿型结构，金刚石型、闪锌矿;燕蒸封甲下硫原子呈六砷堆集，而锌原子则占据四面体间隙的常见的半导体材料的晶体结构类型一半，与闪锌矿相似，它们的每一个原子场处于异种原.二。「{，二，、。**、， .，二、。，二，，，、，扒，。.J目子*.j/J、J二~J兀11们、a一金刚石型;b一闪锌矿型;子构成的正四面体中心。但闪锌矿结构中，次近邻异种一纤锌矿型;价一氮化钠型原子层的原子位置彼此错开60。，而在纤锌矿型中，则是上下相对的。采取这种方式使次近邻异种原子的距选一格点为原点O，令坐标轴与晶轴重合，选择或平移离更近，会增强正负离子的相互吸引作用，因此，纤锌通过原点O的晶列。在晶列上任选一点A，作矢量矿型多出现于两种原子间负电性差大、化学键中离子成，用基矢表示丽一r升s砰。万。将r、s、。三数化碳议”间创一兀1七甘刊甲。为互质整数m、n、p，记作〔m，n，p〕，即晶向指数。它标灌…冀- 面，面间间距最大，而共价键密度最低，{110}面次之。 在晶格中过格点可连成无数直线，这样的直线叫因此，硅、锗晶片易沿{111}面解理，{110}面是第二解晶列。格点在晶列上呈周期分布。一系列平行的晶列叫理面，常常用于划片。闪锌矿结构存在极性，晶片易沿晶列组。晶列组的取向叫晶向，用晶向指数标示。设想{11。}面解理。{10。}和(110)硅片比(1 11)硅片易破碎。硅片界面态和固定电荷按(211)>(110)>(100)顺序降低。因此，金属氧化物半导体(MOS)等表面器件采用(100)硅片而不采用(111)硅片。腐蚀速率随悬挂键密度增加而增大，硅片腐蚀速率按<100)>(11。)>(111)顺序减少，利用各向异性腐蚀通过510:掩膜在(100)硅片上开出V一沟槽。GaAS的(111)A面和(111)B面具有不同的腐蚀特性，A面出现蚀坑，B面则无。AISb、 Insb、InAS、InP也有类似现象。GaAS晶体生长时，B面生长速度最慢。外延生长也有极性效应，且对杂质的掺入、补偿度等有影响，硅、锗晶体生长以[111]晶向最慢。
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参考词条