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1) nanocrystalline silicon
纳米硅
1.
The growth model and experimental validation of size_controlled nanocrystalline silicon;
尺寸可控的纳米硅的生长模型和实验验证
2.
One-dimensional periodic nanocrystalline silicon arrays made by pulsed laser interference crystallization;
激光干涉结晶法制备一维周期结构的纳米硅阵列
3.
Effect of control oxide on the performance of nanocrystalline silicon based double-barrier floating gate memory structure;
控制氧化层对双势垒纳米硅浮栅存储结构性能的影响
2) nc-Si
纳米硅
1.
Coulomb Blockade Effect of Carriers in nc-Si Embedded in Ultrathin SiO_2 Films;
镶嵌在超薄SiO_2层中的纳米硅的库仑阻塞现象
2.
In order to study preparation process and PL mechanism of silicon nitride thin films,the nc-Si(nanocrystalline Si)embedded in silicon nitride thin films were prepared by RF magnetron reaction sputtering technique and thermal annealing.
为研究氮化硅薄膜发光材料的制备工艺及其光致发光机制,实验采用射频磁控反应溅射技术与热退火处理制备了纳米硅镶嵌氮化硅薄膜材料。
3.
Raman scattering and TEM measurements were used to characterize the structure of multilayers during the formation of nc-Si/SiO2 multilayers.
采用等离子体化学气相沉积系统生长非晶硅薄膜并用原位等离子体氧化的方法制备出具有不同子层厚度的非晶Si/SiO2多层膜,然后利用限制性晶化原理使非晶硅层晶化生成纳米硅。
3) nanometer silicon
纳米硅
1.
Elastic-plastic constitutive model of nanometer silicon and cement-stabilized soils;
纳米硅水泥土弹塑性本构模型研究
2.
Study on elastic-plasticity constitutive model of soils stabilized with cement and nanometer silicon;
纳米硅水泥土本构模型研究
3.
The results show that yielding functions in this paper are in agreement with the real properties of nanometer silicon and cement soil.
在试验的基础上,首先描绘出纳米硅水泥土在子午面上的图形,假定偏平面上拉、压屈服点以椭圆线相连,建立了纳米硅水泥土的屈服准则。
4) nc Si
纳米硅
1.
In this paper,the band tail states of nc Si is computed with the Kronig Penney model based on the hypothesis of the lattice potential much lower than the scatterng potential of grain bowndary of nc Si.
假定纳米硅的格点势远小于晶界组元所形成的散射势垒，用Ｋｒｏｎｉｇ－Ｐｅｎｎｅｙ模型对纳米硅的带尾态进行计算，发现纳米硅带尾态并不连续。
2.
The samples of silicon nanocrystals (nc Si) were prepared by Si ion implanted into SiO 2 layers.
报道了用硅离子注入热氧化生长的SiO2 层后热退火的方法制备纳米硅样品,并在室温下测量了样品的光致发光谱及其退火温度的关系。
5) nanosized silicon
纳米硅
1.
Infrared(IR) spectra of the nanosized silicon produced by laser-induced chemicalvapor deposition have been studied.
对激光化学气相沉积纳米硅的红外光谱进行了研究，结合红外光声光谱考察了退火处理对其红外光谱吸收峰位置的影响，对纳米硅的红外吸收峰进行了标识和讨论。
2.
The effect of diffent annealing treatments on the position and intensity of infrared (IR) ahsorption band for the nanosized silicon was also investigated.
研究激光诱导化学相沉积（ＬＩＣＶＤ）法制备纳米硅粒子的工艺过程，分析了影响纳米硅形成及尺寸的主要工艺参数，获得了最佳的工艺条件并讨论了退火处理对纳米硅红外光谱各吸收峰的强度，位置和退火气氛与退火温度的关
3.
Infrared photo -acoustic spectra (IR-PAS) of the nanosized silicon synthesized by laser-induced chemical vapor deposition were studied by use of photo-acoustic spectroscopy.
利用光声技术对激光气相沉积的纳米硅进行了红外光声光谱的研究，考察了红外光声谱随退火处理和外加压力的变化行为，给出了纳米硅红外吸收峰的指认和解释，讨论了固态效应对吸收峰位置的影响。
6) nanoscaled silicon beam
硅纳米梁
1.
We calculate the nature frequency of a nanoscaled silicon beam,a software named Material StudioTM is used to verify the model in nano-size,while in macro-s.
基于Sun-Zhang提出的应变能量计算模型,根据动势能转换与守恒原理,提出了用于分析硅纳米梁基波频率的半连续体模型。
补充资料：看纺织印染中应用纳米材料和纳米技术
纺织印染中应用纳米材料和纳米技术时，除了要解决纳米材料的制备技术之外，重要的是要解决好纳米材料的应用技术，其中关键问题是使纳米粒子和纺织印染材料的基本成分（即聚合物材料）之间处于适当的结合状态。印染中，纳米粒子在聚合物基体中的分散和纳米粒子在聚合物表面的结合是主要的应用技术问题。 制备聚合物/无机纳米复合材料的直接分散法，适用于各种形态的纳米粒子。印染中纳米粒子的使用一般采用直接分散法。但是由于纳米粒子存在很大的界面自由能，粒子极易自发团聚，利用常规的共混方法不能消除无机纳米粒子与聚合物基体之间的高界面能差。因此，要将无机纳米粒子直接分散于有机基质中制备聚合物纳米复合材料，必须通过必要的化学预分散和物理机械分散打开纳米粒子团聚体，将其均匀分散到聚合物基体材料中并与基体材料有良好的亲和性。直接分散法可通过以下途径完成分散和复合过程： 高分子溶液（或乳液）共混：首先将聚合物基体溶解于适当的溶剂中制成溶液（或乳液），然后加入无机纳米粒子，利用超声波分散或其他方法将纳米粒子均匀分散在溶液（或乳液）中。有人将环氧树脂溶于丙酮后加入经偶联剂处理过的纳米TiO2，搅拌均匀，再加入 40wt%的聚酰胺后固化制得了环氧树脂/TiO2纳米复合材料。还有人将纳米SiO2粒子用硅烷偶联剂处理后，改性不饱和聚酯。 熔融共混：将纳米无机粒子与聚合物基体在密炼机、双螺杆等混炼机械上熔融共混。如将PMMA和纳米SiO2粒子熔融共混后，双螺杆造粒制得纳米复合材料。又如利用偶联剂超声作用下处理纳米载银无机抗菌剂粒子，分散制得PP/抗菌剂、PET/抗菌剂、PA/抗菌剂等复合树脂，然后经熔融纺丝工艺加工成抗菌纤维。研究表明，将经过表面处理的纳米抗菌剂粒子通过双螺杆挤出机熔融混炼，在聚合物中可以达到纳米尺度分散，获得了具有良好综合性能的纳米抗菌纤维，对大肠杆菌、金黄色葡萄球菌的抗菌率达到95%以上（美国AATCC－100标准）。 机械共混：将偶联剂稀释后与碳纳米管混合，再与超高分子量聚乙烯（UHMWPE）混合放入三头研磨机中研磨两小时以上。将研磨混合物放入模具，热压，制得功能型纳米复合材料。 聚合法：利用纳米SiO2粒子填充（Poly（HEMA））制备了纳米复合材料。纳米SiO2粒子首先被羟乙基甲基丙烯酸（HEMA）功能化，然后与HEMA单体在悬浮体系中聚合。还有利用SiO2胶体表面带酸性，加入碱性单体4－乙烯基吡咯进行自由基聚合制得包覆型纳米复合材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条
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