2) photoluminescence
[,fəutəu,lju:mi'nesns]
光致发光性
1.
The results showed that the obtained ZnO nanosheet had good photoluminescence properties.
结果表明:采用该法可获得纤锌矿结构ZnO纳米片,其大小100~400 nm,厚度5~10 nm,具有良好的光致发光性能。
5) luminescent properties
发光性质
1.
Synthesis and Luminescent Properties Analysis of CaO-SiO_2-B_2O_3:Pr~(3+) Glasses
CaO-B_2O_3-SiO_2:Pr~(3+)玻璃的合成及发光性质
2.
The optimal temperature of synthesis,the structure of network and the luminescent properties of the glasses are studied.
用常规的高温合成法合成了CaO-SiO2-B2O3∶Eu2O3玻璃,探讨了玻璃的最佳合成温度、玻璃的网络结构并研究了其发光性质。
3.
The optimal temperature of synthesis, the absorption spectrum and the luminescent properties of the glasses were studied.
用常规的高温合成法合成了CaO-SiO2-B2O3∶Sm2O3玻璃,探讨了玻璃的最佳合成温度、玻璃的吸收光谱,并研究了其发光性质。
6) luminescence properties
发光性质
1.
Synthesis and luminescence properties of binary and ternary Tb-La co-doped complexes with O-phthalic acid and 1,10-phenanthroline;
Tb-La混配■邻苯二甲酸■1,10-菲咯啉二元、三元配合物的合成与发光性质
2.
Synthesis and luminescence properties of YPO_4:Eu~(3+) nanophosphor
纳米YPO_4:Eu~(3+)的合成及发光性质研究
3.
The luminescence properties and energy transfer of Y2O2S∶Tb nanocrystals were studied.
研究了Y2O2S∶Tb纳米晶的发光性质和能量传递过程,根据浓度猝灭曲线分析了纳米Y2O2S中引起5D3和5D4能级浓度猝灭的相互作用类型分别为电偶极-电偶极和交换相互作用。
补充资料：光致发光测量
光致发光测量
photoluminescence measurement
万激活能。因此，发光过程往往是被激发到导带的电子先 被这种局部能级所俘获，然后再发生电子与空穴的复 二合发光。这时的发光波长几一hc/E:一△E。不同的杂质 二具有不同的激活能△El，它表征杂质的特性。 三半导体材料中不同的杂质所处的能态不同，引起 厂发光的复合形式也各不相同，主要有如图1所示的6 乙种形式。 (光致发光测试系统如图2所示。由4部分组成:① 光激发部分。包括激光器或其他光源、光斩波器、滤光 i片和透镜。②样品室。包括低温恒温器和温度控制器。 又③光检测部分。包括光栅单色仪、光探测器和锁相放大 器。④记录和数据处理部分。包括X一y记录仪和数据 处理系统。guongz。}faguang Cel.ong{一一-下一一下不不一下三厂一-二二二下光致发光测量(photolumineseenee};!厄圆}}光栅目塑塑目镇相日琴三萝川数据1}zneasurement)用一定能量的光子激发}j}迹‘朴介祠，.厂}~}性介}{L.卫日}二二}}半导体材料，由其产生的特征发光谱线来分析}井令。J及书飞丫少藻滤匕一-口L一二习}L一习}半导体材料性能的一种光学半导休材料测量}全乡/滤舀】控温}}协开{}方法。具体而言，对于一种半导体材料，当用能}公圳~}}l量大于其禁带宽度的光照射到样品表面时，由}}{.}于受到光的激发，使半导体材料价带上的电子l竺丝兰一望塑终匕一卫丝翌一-一-士塑圣塑型哩被激发到导带中而形成电子一空穴对，这种光生的非平衡载流子在10一125的弛豫时间内很图2光致发光测试系统快地与原子晶格振动相互作用，并把能量的一、二。、、.1县。。和、、二、、，t、，。，。。八。、’尤咫习抓“日日‘陌珊叨“口几’卜用’兀〕‘“匕里““光致发光测量对鉴别半导体材料中引起复合发光部分交给晶体，然后到达最小的能量位置(导带边)。由的杂质和缺陷灵敏度高，已成为半导体领域中重要的于这种非平衡载流子的寿命极短，约1。一6一10一95，很测量方法。它用于:(1)识别杂质。对于轻掺杂的半导体快就发生电子与空穴的复合而发光。发光的波长又由材料，以这种杂质在禁带中形成受主能级为例，被激发半导体材料的禁带宽度所决定，即又一h‘/E:。式中h为到导带中的电子将与束缚于受主的空穴复合而放出一普朗克常数;。为光速;E:为禁带宽度。
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参考词条