1) filtered cathodic vacuum arc
过滤阴极真空电弧
1.
Amorphous diamond films deposited by filtered cathodic vacuum arc technology as infrared protective coatings;
过滤阴极真空电弧制备非晶金刚石红外保护膜
2.
Phosphorus incorporated tetrahedral amorphous carbon(ta-C:P)film was deposited by a filtered cathodic vacuum arc technology with PH_3 as the dopant source.
采用过滤阴极真空电弧技术,以高纯磷烷气体为掺杂源制备掺磷四面体非晶碳(ta-C:P)薄膜。
3.
The temperature sensibility of amorphous diamond (a-D) films deposited with the filtered cathodic vacuum arc technology was investigated in the range of -190-600℃.
采用过滤阴极真空电弧技术制备非晶金刚石薄膜,在-190-600℃范围研究非晶金刚石薄膜的温度敏感性。
2) FCVPD(filtered cathode vacuum arc deposition)
磁过滤阴极真空弧沉积
3) filtered cathodic vacuum arc deposition
过滤阴极真空弧沉积
1.
Ta-C films are synthesized by filtered cathodic vacuum arc deposition method.
用磁过滤阴极真空弧沉积 (FCVAD)方法在Si衬底上合成了Ta C薄膜 ,Raman光谱和光电子能谱 (XPS)分析表明衬底加 80～ 10 0V负偏压时合成的Ta C薄膜sp3 键所占比例最高 ,可达 80 %以上 ,并且在Ta C薄膜表面存在一sp3 键所占比例较低的薄层 。
4) filtered cathodic vacuum arc (FCVA)
过滤阴极真空弧(FCVA)
5) DC filtered cathodic vacuum arc
磁过滤真空阴极弧
补充资料：热阴极电离真空计（thermalcathodeionizationvacuumgauge）
热阴极电离真空计（thermalcathodeionizationvacuumgauge）
气体中的电子当它具有足够能量时，一旦与气体分子碰撞就会引起分子电离，产生正离子及电子。电子在一定的飞行路程中与分子的碰撞数正比于气体压强P，所以产生的正离子数也正比于压强P，这种利用离子电流的测量而获得真空数值的称为电离真空计。
为了实现以上的过程，需要有一个热阴极来发射电子，一个给电子以能量的加速并收集电子的加速极，以及一个收集离子的收集极。收集极与放大显示电路相连结就构成了真空计。
电离计的测量范围为10-3～10-7托，在上限处由于电子繁流使得离子流与压强的关系偏离线性的工作区，在下限处由于电子打到加速极产生了轫致辐射，此辐射又在收集极上产生光电子，此光电子的量值相当于在10-8托下的离子流，所以10-8托即成了测压的下限。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条