1) interfacial surface
界面表面
1.
The interface displayed in line mode in cross-section is changed into interfacial surface,which is an interface between Cr-coating and substrate.
为了测量双层铬的界面软铬层力学性质,提出了化学腐蚀基体法,通过溶解掉基体制备没有基体支撑的自由铬层,将在横截面内线状显示的界面转化为界面表面(铬层与基体相连接的面),避免了横截面不能显示界面表面的缺点。
3) Surface and interface
表面与界面
1.
Study on Surface and Interface in Silver Filled Electrically Conductive Adhesives;
银填充导电胶中表面与界面研究
2.
The thesis is devoted to the study of surface and interface of metal/polymer in PLEDs using photoemission spectroscopy (PES), especially synchrotron radiation photoemission spectroscopy (SRPES).
作者在硕士研究生期间,致力于以光电子能谱,特别是同步辐射光电子能谱为主要实验技术研究了聚合物发光器件中的金属电极与共轭聚合物的表面与界面,具体内容主要集中在以下几个方面:1。
5) surface and interface
表界面
1.
Energy dispersive X-ray spectroscopy(EDX) is a kind of analysis method used in researching the adhesive joint and polymer composite surface and interface characters.
EDX是一种研究粘接接头和聚合物基复合材料表界面性能的分析测试方法。
2.
The surface and interface parameters were measured by the contact angle method and Wilhelmy plat method,and adhesive work was calculated based on the harmonic-mean equation.
研究了多羟基醇类(LBA-22、LBA-201)、海因/三嗪类(CBA)、中性聚合物类(NPBA)和取代酰胺类(LTAIC)键合剂与RDX的表界面作用,并在RDX-CMDB推进剂中考察了这些键合剂的作用效果。
6) interface characterization
界面表征
1.
The characteristics of Aluminum matrix composites reinforced by in situ particle are reviewed in detail from different fields such as the reinforcement choice,the technique of fabrification,the interface characterization,mechanical properties and reacter mechanism.
综述了原位内生颗粒增强铝基复合材料的研究现状 ,从增强相选择材料制备技术、界面表征、机械性能、反应机理等各个领域 ,详尽阐述了原位内生颗粒增强铝基复合材料的特点 ,并指出今后研究方向。
补充资料：半导体材料表面和界面观察
半导体材料表面和界面观察
surface and interface observation for semiconductor
bandaotl eaillaob旧om旧n he Jiemlan guaneho半导体材料表面和界面观察(s urface and in-terfaee observation for semieonduetor)测定半导体表面相界面的原子排列微区成分和电子态是半导体材料测蚤的重要内容之一。在半导体的表面，不同半导体之间或半导体与金属之间形成的界面上，原子排列和与之相联系的电子结构与半导体内部的情形是不同的。因此，半导体的表面和界面是半导体物理和半导体器件物理研究的重要对象。同时，电子工业特别是微电子工业的发展也为表面和界面分析提供了一个重要的应用场所。所分析的半导体表面多属于清洁表面和再构表面，要求分析仪器试样室的真空度达到10一SPa。 可利用电子束、离子束、原子束、光子和外场如电场、磁场、热场等与表面和界面附近的物质交互作用，得到关于表面和界面原子排列、微区成分和电子态等重要信息。用于表面结构分析的方法主要有低能电子衍射，反射高能电子衍射，场离子显微镜，低能离子散射谱，原子、分子束散射和表面X射线吸收边精细结构等。用于表面成分分析的方法主要有俄歇电子谱、X射线光电子谱、二次离子质谱和离子散射谱等。用于表面形貌分析的方法有表面敏感透射电子显微技术、反射电子显微技术和扫描隧道电子显微技术，这些方法可以直接得到原子尺度的表面形貌细节。它们已成功地用于观察和分析半导体的表面台阶、Si(111)和GaAs(100)表面再构、外延生长和表面反应等。上述方法有些也可适用于界面分析，但最适于界面分析的是电子显微镜断面试样观察法。这种方法是将具有多层结构的半导体材料或半导体器件做成适于透射电子显微镜分析的横断面薄膜，然后在电子显微镜内观察和分析。可用普通透射电子显微镜、高分辨电子显微镜或分析电子显微镜研究。已广泛应用在器件、电路多层结构、异质结和超晶格等分析中。例如Au一Ni一Ge与GaAs的欧姆接触、Pd/GaAs的界面反应以及AIAs/GaAs等超晶格界面和离子注入等器件工艺中。 (李永洪)
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参考词条