1) reaction-bonded silicon carbide (RBSiC)
反应烧结碳化硅(RBSiC)
2) reaction-bonded silicon carbide
反应烧结碳化硅
1.
A method of joining green state with carbide and silicon carbide was applied to join reaction-bonded silicon carbide(RBSC) ceramics.
以碳化硅和碳为糊料的主要原料,采用素坯连接的方法焊接反应烧结碳化硅(RBSC)陶瓷。
3) reaction bonded silicon carbide
反应烧结碳化硅
1.
The microstructure of reaction bonded silicon carbide (RBSC) is examined.
对不同生坯进行硅化处理后得到的反应烧结碳化硅的显微组织进行了研究。
4) RB-SiC
反应烧结碳化硅
1.
Optical surfacing of spherical reaction-burned silicon carbide(RB-SiC) mirror;
反应烧结碳化硅球面反射镜的光学加工与检测
2.
Recently, Reaction Bonded–SiC (RB-SiC) has become the most promising space mirror material due to its superior mechanical, thermal and physical properties.
为了解决新型优质光学材料—反应烧结碳化硅(RB-SiC)由SiC和Si两相结构引起的光学表面缺陷问题,提出了反射镜表面改性方案并且从加工工艺的角度介绍了改性工艺流程。
5) reaction sintered silicon carbide Infiltrated silicon
硅浸润反应烧结碳化硅
6) reaction sintering Silicon carbide ceramics
反应烧结碳化硅陶瓷
补充资料：反应烧结
分子式：
CAS号：
性质：又称活化烧结或强化烧结。通过添加物的作用，使反应与烧结同时进行的一种烧结方法。此法与普通烧结法比较，有如下两个主要特点：(1)提高制品质量，烧成的制品不收缩，尺寸不变化；(2)反应速度快，传质和传热过程贯彻在烧结全过程。普通烧结法物质迁移过程发生在坯体颗粒与颗粒的局部，反应烧结法物质迁移过程发生在长距离范围内。分为液相反应烧结和气相反应烧结两类。采用前一类的居多。例如，烧结氧氮化硅坯件时添加硅、二氧化硅和氟化钙(或氧化钙、氧化镁等，玻璃相形成剂)同氮反应生成二氮氧化二硅(Si2ON2)，氧化钙、氧化镁等同二氧化硅形成玻璃相，氮溶解在焙融体(玻璃相)中；Si2ON2，晶体从被氮饱和的玻璃相中析出。这样制出的氧氮化硅的密度可相当于理论密度90%以上。
CAS号：
性质：又称活化烧结或强化烧结。通过添加物的作用，使反应与烧结同时进行的一种烧结方法。此法与普通烧结法比较，有如下两个主要特点：(1)提高制品质量，烧成的制品不收缩，尺寸不变化；(2)反应速度快，传质和传热过程贯彻在烧结全过程。普通烧结法物质迁移过程发生在坯体颗粒与颗粒的局部，反应烧结法物质迁移过程发生在长距离范围内。分为液相反应烧结和气相反应烧结两类。采用前一类的居多。例如，烧结氧氮化硅坯件时添加硅、二氧化硅和氟化钙(或氧化钙、氧化镁等，玻璃相形成剂)同氮反应生成二氮氧化二硅(Si2ON2)，氧化钙、氧化镁等同二氧化硅形成玻璃相，氮溶解在焙融体(玻璃相)中；Si2ON2，晶体从被氮饱和的玻璃相中析出。这样制出的氧氮化硅的密度可相当于理论密度90%以上。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条