1) Gallium phosphide
磷化镓
1.
Analysis of the Surface Enhanced Raman Scattering by Crystal Violet Adsorbed on Gallium Phosphide Nanoparticles;
结晶紫在纳米磷化镓粉体表面吸附的表面增强拉曼光谱分析
2.
Analysis of Raman Scattering of Gallium Phosphide Nanoparticles Undergoing Nitrogen Reduction;
纳米磷化镓粉体还原氮过程的Raman光谱分析
3.
Surface Raman spectral study of fuchsin basic on gallium phosphide (GaP) nanoparticles was carried out.
本文中,对吸附于纳米磷化镓(GaP)粉体表面的碱性品红拉曼光谱进行了研究。
2) GaP
[英][ɡæp] [美][gæp]
磷化镓
1.
First-principles Study of Surface Adsorption on Ni and GaP;
镍与磷化镓表面吸附特性的第一性原理研究
2.
In this paper, the author demonstrated the basic principle, development history and characters of High-press Liquid-Enveloped Czochralski method (LEG), and its application in producing the GaP semi-conductors, at the same time of introducing the general situation of them.
本文论述了高压液封直拉法的基本原理、发展历史、特点，该法在半导体材料行业的应用及应用中的影响因素，化合物半导体材料磷化镓的概况、高压液封直拉法在制备该材料时的应用。
3) gallium arsenide phosphide
磷砷化镓
4) GaInP/GaAs/Ge
镓铟磷/砷化镓/锗
5) InGaP/GaAs
铟镓磷/砷化镓
6) AlGaInP/GaAs
铝镓铟磷/砷化镓
补充资料：磷化镓
| 磷化镓 GaP 人工合成的化合物半导体材料。橙红色透明晶体。磷化镓的晶体结构为闪锌矿型，晶格常数5.447±0.06埃（  ），化学键是以共价键为主的混合键，其离子键成分约为20％，300K时能隙为2.26eV，属间接跃迁型半导体。磷化镓与其他大带隙Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体相同，可通过引入深中心使费米能级接近带隙中部，如掺入铬、铁、氧等杂质元素可成为半绝缘材料。磷化镓分为单晶材料和外延材料。工业生产的衬底单晶均为掺入硫、硅杂质的N型半导体。磷化镓单晶早期通过液相法在常压下制备；后采用液体覆盖直拉法。现代半导体工业生产磷化镓单晶都是在高压合成炉中，采用定向凝固工艺合成磷化镓多晶，进行适当处理后装入高压单晶炉进行单晶拉制。磷化镓外延材料是在磷化镓单晶衬底上通过液相外延或汽相外延加扩散生长的方法制得。多用于制造发光二极管。液相外延材料可制造红色、黄绿色、纯绿色光的发光二极管，汽相外延加扩散生长的材料，可制造黄色、黄绿色光的发光二极管。 |
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参考词条