1) GaN particles
GaN晶粒
2) grainy GaN micro-crystal
粒状GaN微晶
3) GaN
[英][ɡæn] [美][gæn]
GaN晶体膜
1.
Electron Microscope Analysis of the Quality of GaN Films Deposited on Ga-diffused Si (1 1 1) Substrates;
扩镓硅基GaN晶体膜质量的电镜分析
2.
X-ray Diffraction Analysis of GaN Films Deposited on Ga-diffused Si (111) Substrates;
不同条件对扩镓硅基GaN晶体膜质量影响的XRD分析
3.
The Investigation of GaN Films Grown on Si Substrates by Hot-Wall Chemical Vapor Deposition;
热壁化学气相沉积Si基GaN晶体膜的研究
4) GaN crystalline stick
GaN晶体棒
6) poly-GaN
多晶GaN
1.
First,the poly-GaN films are prepared by MOCVD method and the preparation parameters were obtained.
本文通过MOCVD方法制备了多晶GaN薄膜,并且得出了我们MOCVD系统生长多晶GaN薄膜的优化生长条件,较系统地分析了不同生长条件与退火工艺对样品结构组分,表面形貌,电学特性与发光特性的影响,并给出了相关解释。
补充资料：gallium nitride GaN
分子式：
CAS号：
性质：白色或微黄色粉末。具有很高的化学稳定性，不溶于水，不与水和浓无机酸反应，稍与稀酸作用，缓慢与碱液反应，空气中加热800℃开始氧化，生成氧化镓。1050℃开始分解。可由气态生长细晶。在1050～1200℃由氧化镓和氨反应或由氯镓酸铵分解制取。为半导体材料和荧光粉。
CAS号：
性质：白色或微黄色粉末。具有很高的化学稳定性，不溶于水，不与水和浓无机酸反应，稍与稀酸作用，缓慢与碱液反应，空气中加热800℃开始氧化，生成氧化镓。1050℃开始分解。可由气态生长细晶。在1050～1200℃由氧化镓和氨反应或由氯镓酸铵分解制取。为半导体材料和荧光粉。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条