1) EBSD technology
电子背散射衍射技术
1.
Through EBSD analyzing systems mounted on Field Scanning Electronic Microscope, it can complete microstructure analysis of crystallographic structures and orientations of block sample, which can interconnect microstructure observation, micro-area chemical analysis and crystallography data analysis, and the EBSD technology become the most important analysis technology in Material Science R.
较详细地阐明了电子背散射衍射技术(EBSD)的基本原理、实验分析方法。
2) electron back scattering diffraction technique(EBSD)
电子背散射衍射技术(EBSD)
1.
The grain orientation distribution,grain angle,microstructure texture and stability of retained austenite of a cold-rolled TRIP steel treated by different process were investigated by electron back scattering diffraction technique(EBSD).
利用电子背散射衍射技术(EBSD)技术分析了两种不同热处理工艺下的TRIP800钢板取向分布、晶粒角度、显微织构与残余奥氏体的分布及其稳定性,并结合试验钢的力学性能进行了讨论。
3) back scatter electron technology
背散射电子技术
4) EBSD
电子背散射衍射
1.
METALLOGRAPHIC SAMPLE PREPARATION FOR EBSD;
金属电子背散射衍射试样的制备技术
2.
THE APPLICATION OF EBSD IN STEEL AND PIPELINE RESEARCH;
电子背散射衍射分析技术在钢铁及管线钢研究领域中的应用
3.
Electron back scattered diffraction (EBSD) was used to measure the grain size of HPT treated samples.
使用电子背散射衍射技术测量了处理后试样品粒尺寸沿径向的分布。
5) electron back-scatter diffraction
电子背散射衍射
1.
The effect of grain boundary structure on secondary working embrittlement (SWE) of IF steels was studied by electron back-scatter diffraction (EBSD) and TEM.
采用电子背散射衍射(EBSD)技术和 TEM技术对 IF钢二次加工脆性与晶界结构之间的关系进行了研究。
6) Electron backscatter diffraction
电子背散射衍射
1.
A new kind of method for studying critical materials-electron backscatter diffraction (EBSD) analysis technology was introduced.
介绍了一种新型的晶体材料研究方法——电子背散射衍射分析技术。
2.
By using electron backscatter diffraction (EBSD) it is possible to determine microtextures of different types of grains separately.
用电子背散射衍射（ Ｅ Ｂ Ｓ Ｄ）技术可以分别对试样中不同类型的晶粒，测定其显微织构。
3.
This paper describes our preliminary results by using electron backscatter diffraction(EBSD) attachment in a scanning electron microscope.
介绍了用扫描电镜中电子背散射衍射（ＥＢＳＤ）附件所进行的初步研究工作。
补充资料：背散射电子
分子式：
CAS号：
性质： 高能电子束轰击样品时，从距样品表面0.1～lμm深度范围内散射回来的入射电子。该电子的能量近似入射电子能量。在扫描电镜技术中，高能入射电子束轰击样品表面时，由于电子与物质间的相互作用是一个复杂的过程，故从样品中可激发出各种有用的信息，通过二次电子成像，可以了解样品表面的形貌、受激区域的成分以及有关样品力学、磁学、电子学等性能，其中背散射电子像则着重反映样品的表面形貌和原子序数的分布等。
CAS号：
性质： 高能电子束轰击样品时，从距样品表面0.1～lμm深度范围内散射回来的入射电子。该电子的能量近似入射电子能量。在扫描电镜技术中，高能入射电子束轰击样品表面时，由于电子与物质间的相互作用是一个复杂的过程，故从样品中可激发出各种有用的信息，通过二次电子成像，可以了解样品表面的形貌、受激区域的成分以及有关样品力学、磁学、电子学等性能，其中背散射电子像则着重反映样品的表面形貌和原子序数的分布等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条