1) Y co-doped PbWO-4 scintillators
Y双掺钨酸铅闪烁晶体
3) Bi-doped PbWO4 crystal
掺铋钨酸铅晶体
4) PbWO4:Y crystal
掺钇钨酸铅晶体
5) Gd-doped PbWO4
掺Gd钨酸铅晶体
6) La-doped PbWO4 crystal
掺镧钨酸铅晶体
补充资料：硒化锡铅晶体
分子式：Pbl-xSnxSe 0≤x≤1
CAS号：
性质：周期表第Ⅳ、Ⅵ族三元化合物半导体。在0≤x≤0.43时属氯化钠型结构离子性晶体，有一定共价键成分。0≤x≤0.3时，为直接带隙半导体；x=0.3时禁带宽度0.03eV。属具有零禁带的窄带隙半导体。采用布里奇曼法，闭管气相生长法制备。用作8～14μm红外伏光探测器材料。
CAS号：
性质：周期表第Ⅳ、Ⅵ族三元化合物半导体。在0≤x≤0.43时属氯化钠型结构离子性晶体，有一定共价键成分。0≤x≤0.3时，为直接带隙半导体；x=0.3时禁带宽度0.03eV。属具有零禁带的窄带隙半导体。采用布里奇曼法，闭管气相生长法制备。用作8～14μm红外伏光探测器材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条