1) CdTe
碲化镉
1.
Degradation of Ethidium Bromide Using CdTe Quantum Dots as Photo-catalysts;
碲化镉量子点光催化降解溴化乙锭的研究
2.
Application of Spectral Analysis in Growing Technique and Evaluating of the Quality of CdTe Crystal;
光谱分析在碲化镉晶体制备和晶体评价中的应用
3.
An Overview of CdTe Thin Film Solar Cells and Relevant Sputtering Fabrication;
碲化镉薄膜太阳能电池及其溅射制备
2) cadmium telluride
碲化镉
1.
he thin film cadmium telluride is deposited by close-spaced sublimation technique under low pressure of inner gas.
３）Ｐａ低压氦气、氩气等气氛下淀积多晶碲化镉薄膜。
3) cadmium telluride(CdTe)
碲化镉(CdTe)
4) CdTe/CdS
碲化镉/硫化镉
5) Cadmium Zinc Telluride(CZT)
碲化锌镉(CZT)
补充资料：碲化镉
分子式：
CAS号：
性质：周期表第II，VI族元素化合物半导体。强离子性的共价键结合。立方晶系闪锌矿型结构，晶格常数0.6477nm，为复式晶格。密度5.86g/cm3。熔点1098℃。室温禁带宽度1.50eV。电子和空穴迁移率分别为6×10-2和6.5×10-3/(V·s)。采用区域熔炼法、高压熔融法制备单晶。用于制作近红外光探测器、γ和X射线谱仪、电光调制器等。
CAS号：
性质：周期表第II，VI族元素化合物半导体。强离子性的共价键结合。立方晶系闪锌矿型结构，晶格常数0.6477nm，为复式晶格。密度5.86g/cm3。熔点1098℃。室温禁带宽度1.50eV。电子和空穴迁移率分别为6×10-2和6.5×10-3/(V·s)。采用区域熔炼法、高压熔融法制备单晶。用于制作近红外光探测器、γ和X射线谱仪、电光调制器等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条