2) interlayer oxidation zone
层间氧化带
1.
Characteristics of uranium mineralization in the interlayer oxidation zone of the HAB area on the western margin of the Ordos basin;
鄂尔多斯盆地西缘HAB地区层间氧化带铀矿化特征
2.
Mineral and lithogeochemical zonation of interlayer oxidation zones in the southwest Tupan-Hami basin and its control over uranium mineralization;
吐哈盆地西南缘层间氧化带矿物、岩石地球化学分带及对铀矿的控制作用
3.
REE geochemistry of sandstone-type uranium deposit in interlayer oxidation zone in the southern margin of Ili Basin,Xinjiang;
新疆伊犁盆地南缘层间氧化带砂岩型铀矿床中稀土元素地球化学特征
3) Interlayer oxidized zone
层间氧化带
1.
It is held that the interlayer water derived from atmospheric water formed the interlayer oxidized zones (IOZ) and resulted in uranium mineraliza.
文章在对吐哈盆地十红滩层间氧化带型砂岩铀矿床地下水和粘土矿物的氢、氧同位素,钙质砂岩的碳、氧同位素,黄铁矿和长石的铅、硫同位素组成进行分析测试的基础上,系统总结了矿床的地球化学特征;认为形成层间氧化带和铀矿化的层间水主要来自大气降水,研究区水与有机烃类气体同位素交换、强烈的蒸发作用和水岩反应是控制地下水和矿物中同位素分馏的主要机制,层间氧化带和铀富集成矿是地下水在低温、常压下对围岩长期作用的结果,钙质砂岩的碳和黄铁矿的硫均主要为生物有机成因,盆地深部的煤成油、气也参与了成矿作用。
2.
The new viewpoint of this research is that a large sandstone uranium of the interlayer oxidized zone is controlled the stable land mass, the special paleogeographic environment and "the structural terrace"on Cenozoic era pressure shearing fault depres.
提出了天山古岛弧系中 ,伊犁多相地块之上中新生代压扭性断坳盆地内稳定地块与特定的古地理环境及其“构造阶地” ,共同控制层间氧化带大型砂岩型铀矿的新观点 ,并将“水液型”砂岩型铀矿的成因归结为“双合”式铀成矿模式及其“八位一体”的综合信息找矿模式。
3.
Interlayer oxidized zone and argillite-sisandstone-argillite sequence occur in red clastic rock formation with ideal artesian and circulating system of ground water.
在红色碎屑岩建造中有层间氧化带和“泥-砂-泥”结构发育，并有良好的地下水承压和循环体制，是寻找可地浸砂岩型铀矿的有利地区。
4) interlayer oxidization zone
层间氧化带
1.
The analysis of the sedimentary environment and features, conditions of interlayer oxidization zones' development and setting of uranium mineralization reveals that the lithology, lithofacies and geochemical environment of the 1st sandstone bed of Badaowan Formation.
分析了准噶尔盆地东部大井地区中下侏罗统的沉积环境、特征,发育层间氧化带的条件及铀成矿环境。
2.
The uranium deposits 511, 513 and 512 belong to in-situ leachable sandstone-type uranium, strictly controlled by interlayer oxidization zones.
其中511、513、512等矿床为可地浸砂岩型铀矿床,受层间氧化带控制非常明显。
3.
Appraisal is given of the potential and distribution of uranium mineralization of interlayer oxidization zones.
通过对新疆福海县顶山地区古近系岩相古地理、岩石地球化学、地下水水化学、岩石次生蚀变等特征的分析,对灰白色、白色砂岩的成因提出了新的看法,并对本地区古近系以灰白色砂岩为主的层间氧化带型铀矿床与铀的分布进行了评述。
5) Between layer oxidize tape uranium type
层间氧化带型铀矿
6) interlayer oxidation zone sandstone-type uranium deposit
层间氧化带砂岩型铀矿
1.
Geochemical behavior of rhenium at interlayer oxidation zone sandstone-type uranium deposits and discussion on its prospecting significance;
层间氧化带砂岩型铀矿中铼的地球化学行为及找矿意义探讨
2.
This paper deals with the basic theory of the natural electric field method and its application to the prospecting for interlayer oxidation zone sandstone-type uranium deposits.
绍了自然电场形成的原理及在寻找层间氧化带砂岩型铀矿中的应用。
补充资料：增强型与耗尽型金属-氧化物-半导体集成电路
耗尽型MOS晶体管用作负载管，增强型MOS晶体管用作驱动管组成反相器（图1），并以这种反相器作为基本单元而构成各种集成电路。这种集成电路简称E/D MOS。
特点 E/D MOS电路的速度快，电压摆幅大,集成密度高。MOS反相器的每级门延迟取决于负载电容的充电和放电速度。在负载电容一定的条件下，充电电流的大小是决定反相器延迟的关键因素。各种MOS反相器的负载特性见图2。在E/D MOS反相器中，作为负载的耗尽型管一般工作在共栅源（栅与源相连,其电压uGS＝0）状态。把耗尽型MOS晶体管的输出特性IDS～VDS曲线，沿纵轴翻转180o,取出其中uGS＝0的曲线,即可得到E/D MOS反相器的负载（图2）。E/D MOS反相器具有接近于理想恒流源的负载特性。与E/E MOS反相器(负载管和驱动管都用增强型MOS晶体管的)相比,同样尺寸的理想E/D MOS电路，可以获得更高的工作速度,其门延迟(tpd)可减少至十几分之一。由于耗尽型管存在衬偏调制效应,E/D MOS反相器的负载特性变差,tpd的实际改进只有1/5～1/8。此外，由于E/DMOS反相器输出电压uo没有阈电压损失，最高输出电压uo可达到电源电压UDD=5伏(图1)。因此，比饱和负载E/E MOS反相器的电压摆幅大。另一方面,由于E/D MOS反相器的负载特性较好，为了达到同样的门延迟,E/D MOS反相器的负载管可以选用较小的宽长比,从而占用较少的面积;为了得到相同的低电平,E/D MOS反相器的βR值也比E/E MOS反相器的βR值小些。与E/E MOS电路相比，E/D MOS电路的集成密度约可提高一倍。
结构与工艺 只有合理的版图设计和采用先进的工艺技术,才能真正实现E/D MOS电路的优点。图3是E/D MOS反相器的剖面示意图。E/DMOS电路的基本工艺与 NMOS电路类同（见N沟道金属-氧化物-半导体集成电路）。其中耗尽管的初始沟道，是通过砷或磷的离子注入而形成的。为了使负载管的栅与源短接，在生长多晶硅之前，需要进行一次"埋孔"光刻。先进的 E/D MOS的结构和工艺有以下特点。①准等平面：引用氮化硅层实现选择性氧化，降低了场氧化层的台阶；②N沟道器件:电子迁移率约为空穴迁移率的三倍,因而N沟道器件有利于提高导电因子；③硅栅自对准：用多晶硅作栅，可多一层布线。结合自对准，可使栅、源和栅、漏寄生电容大大减小。
采用准等平面、 N沟道硅栅自对准技术制作的 E/D MOS电路，已达到tpd≈4纳秒，功耗Pd≈1毫瓦,集成密度约为300门／毫米2。E/D MOS电路和CMOS电路是MOS大规模集成电路中比较好的电路形式。CMOS电路（见互补金属-氧化物-半导体集成电路）比E/D MOS电路的功耗约低两个数量级,而E/D MOS电路的集成密度却比CMOS电路约高一倍,其工艺也比CMOS电路简单。E/D MOS电路和CMOS电路技术相结合，是超大规模集成电路技术发展的主要方向。
特点 E/D MOS电路的速度快，电压摆幅大,集成密度高。MOS反相器的每级门延迟取决于负载电容的充电和放电速度。在负载电容一定的条件下，充电电流的大小是决定反相器延迟的关键因素。各种MOS反相器的负载特性见图2。在E/D MOS反相器中，作为负载的耗尽型管一般工作在共栅源（栅与源相连,其电压uGS＝0）状态。把耗尽型MOS晶体管的输出特性IDS～VDS曲线，沿纵轴翻转180o,取出其中uGS＝0的曲线,即可得到E/D MOS反相器的负载（图2）。E/D MOS反相器具有接近于理想恒流源的负载特性。与E/E MOS反相器(负载管和驱动管都用增强型MOS晶体管的)相比,同样尺寸的理想E/D MOS电路，可以获得更高的工作速度,其门延迟(tpd)可减少至十几分之一。由于耗尽型管存在衬偏调制效应,E/D MOS反相器的负载特性变差,tpd的实际改进只有1/5～1/8。此外，由于E/DMOS反相器输出电压uo没有阈电压损失，最高输出电压uo可达到电源电压UDD=5伏(图1)。因此，比饱和负载E/E MOS反相器的电压摆幅大。另一方面,由于E/D MOS反相器的负载特性较好，为了达到同样的门延迟,E/D MOS反相器的负载管可以选用较小的宽长比,从而占用较少的面积;为了得到相同的低电平,E/D MOS反相器的βR值也比E/E MOS反相器的βR值小些。与E/E MOS电路相比，E/D MOS电路的集成密度约可提高一倍。
结构与工艺 只有合理的版图设计和采用先进的工艺技术,才能真正实现E/D MOS电路的优点。图3是E/D MOS反相器的剖面示意图。E/DMOS电路的基本工艺与 NMOS电路类同（见N沟道金属-氧化物-半导体集成电路）。其中耗尽管的初始沟道，是通过砷或磷的离子注入而形成的。为了使负载管的栅与源短接，在生长多晶硅之前，需要进行一次"埋孔"光刻。先进的 E/D MOS的结构和工艺有以下特点。①准等平面：引用氮化硅层实现选择性氧化，降低了场氧化层的台阶；②N沟道器件:电子迁移率约为空穴迁移率的三倍,因而N沟道器件有利于提高导电因子；③硅栅自对准：用多晶硅作栅，可多一层布线。结合自对准，可使栅、源和栅、漏寄生电容大大减小。
采用准等平面、 N沟道硅栅自对准技术制作的 E/D MOS电路，已达到tpd≈4纳秒，功耗Pd≈1毫瓦,集成密度约为300门／毫米2。E/D MOS电路和CMOS电路是MOS大规模集成电路中比较好的电路形式。CMOS电路（见互补金属-氧化物-半导体集成电路）比E/D MOS电路的功耗约低两个数量级,而E/D MOS电路的集成密度却比CMOS电路约高一倍,其工艺也比CMOS电路简单。E/D MOS电路和CMOS电路技术相结合，是超大规模集成电路技术发展的主要方向。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条