1) Monocrystalline germanium surface
单晶锗表面
1.
Studies of photosensitive dyes binding to monocrystalline germanium surface;
单晶锗表面键合光敏染料及其电流-电压曲线的测定
2.
A studies on the rhodacyanines photosensitive dyes binding to monocrystalline germanium surface;
若丹菁染料键合于单晶锗表面的研究
2) germanium monocrystalline
锗单晶体
3) SiGe bulk
硅锗单晶
1.
The distribution of impurity Ge in SiGe bulk single crystal which was grown by varying speed CZ was measured by using the SEM-EDS methods, and it was found that the Ge concentration varied from a lower value at head to a highter one at the tail of Si crystal which was doped Ge.
利用扫描电镜能谱分析法,对 CZ 法生长的掺锗浓度不同的硅锗单晶中锗浓度进行了测定,结果发现硅中锗的纵向分布是头部浓度较低,尾部锗浓度较高。
4) single crystal of germanium
锗单晶<冶>
5) single crystal germanium
单晶锗
补充资料：直接锗单晶
直接锗单晶
czochralski germanium single crystal
zhila zhedanjing直拉锗单晶(ezoehralski germanium singlecrystal)在充氢或氢的直拉单晶炉中，以电阻或高频感应加热，将柑竭中的料锭熔化，然后把固定在籽晶杆上的锗籽晶与熔体接触。熔合好后，以20一50;/min的转速和1~Zmm/min的拉速提拉籽晶，单晶便在籽晶下面不断地生长。控制温度使单晶长大到所需直径，然后等径生长。单晶长到所需长度后，升高温度使其慢慢收尾，直到与熔体脱开。 以籽晶的取向控制单晶的晶向。由掺入杂质的类型和掺量控制单晶的导电型号和电阻率。n型单晶掺锑，p型单晶掺稼或锢。由调整热场和拉晶条件控制单晶的位错密度。单晶少子寿命主要取决于其杂质含量。避免铜、铁、镍、金等起复合中心作用的杂质的引入，就可得到长寿命单晶。反之，掺金可得到短寿命单晶。采用悬浮增竭拉晶技术可获得电阻率沿长度均匀分布的单晶。悬浮增塌拉晶如图所示，内竭悬浮在外塌的熔体中，随着单晶的生长，外竭熔体通过内竭底部的连通小孔流进内涡，保持内竭熔体体积不变。因掺杂质只掺入内竭，其分凝系数远小于1。因此，在单晶生长过程中，内竭熔体杂质浓度几乎保持不变，于是单晶轴向电阻率保持恒定。直拉锗单晶现有水平:无位错，断面电阻率不均匀性<5%，已商品化的最大直径小300mm。主要用于制造二极管、晶体管、红外透镜和窗口。冷 悬浮柑祸拉晶示意图 1一单晶;2一内祸;3一外塌汪一加热器 (马绍芳)
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参考词条