1) Al TiO 2 C
Al-TiO2-C
2) TiO2-C-Al system
TiO2-C-Al体系
3) TiO_2/C
TiO2/C
1.
The immobilized TiO_2 photocatalyst on activated carbon was prepared by dipping method,the crystal phase and morphology of TiO_2/C were investigated by XRD and SEM,and the phenol in water was choiced as objective substance in the study of photocatalysis.
采用浸渍法以活性炭为载体制备了TiO2/C光催化剂,通过XRD,SEM技术对负载型光催化剂的晶型结构和形貌进行了表征,以苯酚溶液为降解对象,考察了溶液的初始浓度、不同pH、催化剂负载量以及气体流量对负载型二氧化钛光催化降解苯酚溶液过程的影响。
4) Al-Al_2O_3/TiO_2
Al-Al2O3/TiO2
1.
Thermal spray method was used to prepare the Al-Al_2O_3/TiO_2 gradient coating on AZ91D magnesium alloy surface.
采用热喷涂法,在AZ91D镁合金表面制备Al-Al2O3/TiO2梯度涂层,为增强涂层与基体的结合强度,在380~420℃保温处理2h。
5) TiO2/Al thin film
TiO2/Al薄膜
6) diboride trioxide-titanium dioxide-magnesium-carbon
B2O3-TiO2-Mg-C
补充资料：CaO-TiO2-SiO2 ceramics
分子式：
CAS号：
性质：在CaO-TiO2-SiO2三元系统中以CaSiO3与TiO2或以CaTiSiO5与CaTiO3为基料的陶瓷材料。其结构特点是两种晶相共存，性能受晶相比例影响。配比可在一定范围内调节。主要原料为碳酸钙、二氧化钛、二氧化硅，加入少量改性添加剂，经配料、磨细、混合、成型、烧成等工序获得制品，也可先用碳酸钙和二氧化硅高温下合成硅酸钙，用碳酸钙、二氧化硅、二氧化钛高温下合成钛硅酸钙后再进行配料、烧成等，以确保两晶相共存。主要介电性能为：介电常数80～110，介质损耗角正切值(0.8～2.5)×10-4，介电常数温度系数(-450～+550)×10-6/℃。抗电温度(45～55)kV/mm，电阻率(1011～1012)Ω·cm。主要用作温度补偿型陶瓷电容器瓷料。
CAS号：
性质：在CaO-TiO2-SiO2三元系统中以CaSiO3与TiO2或以CaTiSiO5与CaTiO3为基料的陶瓷材料。其结构特点是两种晶相共存，性能受晶相比例影响。配比可在一定范围内调节。主要原料为碳酸钙、二氧化钛、二氧化硅，加入少量改性添加剂，经配料、磨细、混合、成型、烧成等工序获得制品，也可先用碳酸钙和二氧化硅高温下合成硅酸钙，用碳酸钙、二氧化硅、二氧化钛高温下合成钛硅酸钙后再进行配料、烧成等，以确保两晶相共存。主要介电性能为：介电常数80～110，介质损耗角正切值(0.8～2.5)×10-4，介电常数温度系数(-450～+550)×10-6/℃。抗电温度(45～55)kV/mm，电阻率(1011～1012)Ω·cm。主要用作温度补偿型陶瓷电容器瓷料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条