1) photoconductivity
[英]['fəutəu,kɔndʌk'tiviti] [美][,foto,kɑndʌk'tɪvətɪ]

光电导特性
1.
Theinfluence of layer number and thickness of organic and inorganic layers on photoconductivity and microstructure oforganic-inorganic composite multilayers were studies by using the photoconductivity test apparatus and UV spectrum.
利用光电导特性测量仪和紫外-可见光谱仪等手段分析了复合薄膜的结构和光电性能,探讨了有机/无机复合薄膜的光电导机理。
2) photocondcutive property

光电导性能,光电导特性
3) guiding properties

导光特性
1.
Analyses of guiding properties of light-induced planar waveguides in LiNbO_3:Fe crystals;

LiNbO_3:Fe晶体中光写入平面光波导的导光特性研究
4) conductivity
[英][,kɔndʌk'tiviti] [美][,kɑndʌk'tɪvətɪ]

导电特性
1.
The conductivity of anticorrosion coating for flue gas cleaning equipment with corona discharge was studied.
对电晕放电烟气净化设备用防腐涂料的导电特性进行了实验研究,涂层导电机理为渗流、隧道效应和场致发射综合作用。
2.
Two metal electrodes are placed at two side surfaces of specimens to measure the variation of conductivity reflectin.
本文采用两端预留缝半边受力试件,进行了混凝土大坝接缝灌浆材料的剪切断裂试验,利用混凝土的导电特性对有限宽两端预留缝半边受力试件的断裂性能进行研究。
5) electrical conductivity

导电特性
1.
Superhard MgB_(2) polycrystalline compact with good electrical conductivity was synthesized in a cubic anvil high-pressure apparatus.
本文在国产六面顶高温高压设备上成功制备出具有超高硬度和良好导电特性的二硼化镁(MgB2)聚晶体材料。
2.
The composition, crystal structure and electrical conductivity of the materials were also examined.
首次报导了烧结的BaRuO3多晶材料的导电特性在室温附近由半导体向金属转
6) electrical conductivity

电导特性
1.
A study on the electrical conductivity of Cu-MgF_2 nanoparticle cermet films;

Cu-MgF_2复合纳米金属陶瓷薄膜的电导特性研究
补充资料:半导体的光电导
半导体受光照而引起电导率的改变。最早是1873年W.史密斯在硒上发现的。20世纪的前40年内,又先后在氧化亚铜、硫化铊、硫化镉等材料中发现,并利用这现象制成几种可用作光强测量及自动控制的光电管。自40年代开始,由于半导体物理学的发展,先是硫化铅的,尔后是其他半导体的光电导得到了充分研究。并由此发展了从紫外、可见到红外各个波段的辐射探测器。研究这现象也是探索半导体基本性能的重要方法之一。
电导率正比于载流子浓度及其迁移率的乘积。因此凡是能激发出载流子的入射光都能产生光电导。入射光可以使电子从价带激发到导带,因而同时增加电子和空穴的浓度;也可以使电子跃迁发生在杂质能级与某一能带之间,因而只增加电子浓度或只增加空穴浓度。前一过程引起的光电导称为本征光电导,后一过程引起的光电导称为杂质光电导。不管哪一种光电导,入射光的光子能量都必须等于或大于与该激发过程相应的能隙 ΔE(禁带宽度或杂质能级到某一能带限的距离),也就是光电导有一个最大的响应波长,称为光电导的长波限λ0,若λ0以??m计,ΔE 以eV计则λ0与ΔE 的关系为 。
从入射光照射到半导体表面的瞬间开始,能带中的载流子浓度将不断增加。但随着载流子的增加,复合的机会也增多,经过一段时间后,就会达到载流子因光激发而增加的速率与因复合而消失的速率相等的稳定状态。这时能带中的载流子浓度减去光照之前原有的载流子浓度就得到光生载流子浓度。到达这一稳定状态所需的时间就叫做光电导的弛豫时间,或响应时间。
用适当的电子线路可以测量光生载流子所输出的电流,这个电流称为光电流。入射光的单位功率所产生的光电流,称为光电导的响应率。它代表样品的光电导过程的效率,与材料的基本参量,如载流子迁移率和寿命、样品的尺寸以及入射光的波长等有关。
除掉载流子浓度增加可产生光电导外,由于光照引起载流子迁移率的改变也会产生光电导。有人称这类光电导为第二类光电导,以区别于上述载流子浓度增加的第一类光电导。InSb单晶在深低温的第二类光电导已被用来制作远红外探测器。
电导率正比于载流子浓度及其迁移率的乘积。因此凡是能激发出载流子的入射光都能产生光电导。入射光可以使电子从价带激发到导带,因而同时增加电子和空穴的浓度;也可以使电子跃迁发生在杂质能级与某一能带之间,因而只增加电子浓度或只增加空穴浓度。前一过程引起的光电导称为本征光电导,后一过程引起的光电导称为杂质光电导。不管哪一种光电导,入射光的光子能量都必须等于或大于与该激发过程相应的能隙 ΔE(禁带宽度或杂质能级到某一能带限的距离),也就是光电导有一个最大的响应波长,称为光电导的长波限λ0,若λ0以??m计,ΔE 以eV计则λ0与ΔE 的关系为 。
从入射光照射到半导体表面的瞬间开始,能带中的载流子浓度将不断增加。但随着载流子的增加,复合的机会也增多,经过一段时间后,就会达到载流子因光激发而增加的速率与因复合而消失的速率相等的稳定状态。这时能带中的载流子浓度减去光照之前原有的载流子浓度就得到光生载流子浓度。到达这一稳定状态所需的时间就叫做光电导的弛豫时间,或响应时间。
用适当的电子线路可以测量光生载流子所输出的电流,这个电流称为光电流。入射光的单位功率所产生的光电流,称为光电导的响应率。它代表样品的光电导过程的效率,与材料的基本参量,如载流子迁移率和寿命、样品的尺寸以及入射光的波长等有关。
除掉载流子浓度增加可产生光电导外,由于光照引起载流子迁移率的改变也会产生光电导。有人称这类光电导为第二类光电导,以区别于上述载流子浓度增加的第一类光电导。InSb单晶在深低温的第二类光电导已被用来制作远红外探测器。
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条