1) EFISPS
场诱导表面光电压谱
1.
Fe-doping TiO_2 photocatalyst film with different Fe content were prepared by sol-gel process and characterized by X-ray diffraction (XRD) and electrical field-induced surface photo-voltage spectrum (EFISPS).
以溶胶 -凝胶法制备了不同掺铁比例的 Ti O2 膜光催化剂 ,分别以 X-射线衍射和场诱导表面光电压谱进行表征。
2) Electrical fleld-induced surface photovoltage spectroscopy
电场场诱导表面光电谱
3) Electric field induced surface photovoltage spectroscopy(EFISPS)
电场诱导表面光电压(EFISPS)
4) Surface photovoltage spectrum
表面光电压光谱
1.
Surface photovoltage spectrumcan supply the information about the surface and interface of solid materials but alsocan study the molecular congeries, electronic states and energy-band structures.
表面光电压光谱(SPS)是探测固体表面电子跃迁和转移等表面电子行为的一种有效手段,能够检测到由入射光诱导而引起的固体表面电荷的变化。
2.
The crystal structures of the complexes were determined by X-ray single crystal diffraction,and the complexes were characterized by UV-Vis and surface photovoltage spectrum(SPS).
通过X射线单晶衍射、紫外可见吸收光谱(UV-Vis)及表面光电压光谱(SPS)测试技术对配合物进行了表征。
5) surface photovoltage spectra
表面光电压谱
1.
The surface photovoltage of the products were studied by surface photovoltage spectra(SPS)in different electric fields.
并研究了这些卟啉化合物在不同外加电场条件下的表面光电压谱(SPS),结果表明,TAPP及其金属配合物都具有良好的光电性能,且其Soret带与Q带的光伏响应强度随外加正电场光伏响应强度的增加而增强,随外加负电场光伏响应强度的增加而减弱,具有P-型半导体的特征。
6) surface photovoltage spectroscopy
表面光电压谱
1.
Quantum well effect and characterization of photoelectric properties of quantum well using surface photovoltage spectroscopy;
量子阱效应及其光电性质的表面光电压谱表征
2.
Experiment of surface photovoltage spectroscopy and detection technique
表面光电压谱及其检测技术实验
3.
XRD,DRS,FT-IR and TEM techniques have been used to characterize the structural and spectral features of the obtained samples,whereas surface photovoltage characteristics of the nanocrystallines are deeply investigated by the surface photovoltage spectroscopy(SPS).
采用偶合的共沉淀法和水热法相结合的方法,制备出ZnFe2O4纳米晶体,并利用DRS、XRD、FT-IR、TEM等技术对其结构和谱学特性进行了研究,并在其基础上利用表面光电压谱(SPS)深入探讨了所制样品的表面光伏特性,研究表明样品具有较窄的禁带宽度,晶型为正尖晶石型结构,大小均匀(7nm),无团聚,表面光伏特性研究显示ZnFe2O4纳米晶体具有明显的表面和量子限域效应,有一定的捕获电子能力,在外加电场下光伏响应变化明显,在正电场下有一个最佳响应值,而当负电场达到一定值时,外电场的光伏响应将占据主导地位。
补充资料：高热诱导的畸形谱
高热诱导的畸形谱
许多动物实验证明，妊娠前半期高热可以致畸。Edwards用豚鼠试验证明，母体体温升高1.5℃可能引起正在发育的脑室神经元细胞有丝分裂停止；如提高3℃或更高，可能杀死这种细胞。故后遗症的发生与母体高热发生的时间、程度及持续长短有关。人类均为回顾性研究，在神经管闭合期(21～28天)高热，可导致无脑、脑脊膜膨出和枕部脑膨大；4～6周严重高热，可造成小头畸形，智力障碍，伴有肌张力低下，小眼和其他缺陷；7～14周发生高热，造成脊索形态异常并伴继发的神经性痉挛。多数病人有面部形态异常，轻微的小肢体畸形。高热还可以引起流产、死胎和早产。高热原因可为感染，如流感、肾盂炎、链球菌性咽炎。可为热蒸气浴(桑拿浴)或热水盆浴引起。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条