1) microwave dielectric loss
微波介电损耗
2) dielectric loss
介电损耗
1.
Progress in dielectric loss of microwave dielectric ceramics;
微波介质陶瓷的介电损耗研究进展
2.
The Study on Microwave Dielectric Loss of Al_2O_3 Ceramics Modified by Y_2O_3;
Y_2O_3改性Al_2O_3陶瓷微波介电损耗研究
3.
Research on the ordering and dielectric loss in A(B′B″)O_3 complex perovskite
A(B′B″)O_3型钙钛矿材料中有序结构与介电损耗的研究
3) microwave loss
微波损耗
1.
The experimentresults show that the microwave loss of BMT ceramic mainly depends on its B-site ion ordering pa-rameters, bulk density and homogenous microstructure.
实验结果表明，ＢＭＴ陶瓷的微波损耗主要与其密度、有序度和微观结构的均一度有关。
2.
The results show that the microwave loss of a CPW on LRS is too high to be used, but it can be greatly reduced by adding a thick interlayer of silicon oxide between the CPW transmission lines and the LRS.
结果表明,低阻硅衬底导致过高的微波损耗从而不能使用,通过加氧化硅介质层,微波损耗可以大大减少,但是需要较厚的氧化硅厚度。
4) Low loss tangent
低介电损耗
1.
The requirement of wide-range frequency and low loss tangent characters materials for advanced radomes were presented, and the progress in the research of polymer-matrix composites for radomes is summarized.
介绍了先进雷达罩对罩体材料宽频、低介电损耗值等电性能的要求，并综述了用于雷达罩的聚合物基复合材料的研究进展。
6) dielectric phase angle
介电损耗角
补充资料：介电损耗角正切
分子式：
CAS号：
性质：又称介质损耗角正切，介电损耗角正切。表征电介质材料在施加电场后介质损耗大小的物理量，以tgδ表示，δ是介电损耗角。它表征每个周期内介质损耗的能量与其贮存能量之比。高分子材料多系绝缘性好的材料，广泛的用于电子及电工行业。使用时不希望绝缘材料本身能量损耗大，因而测量出介质损耗因数就能评价材料的介质本身能量损耗。工业上多选用介质损耗因数小的高分子材料作为绝缘材料。通常极性橡胶的tanδ比非极性橡胶的大。它还与试验采用的频率、温度紧密相关。在一定温度下，只有在某一频率范围内，分子偶极取向虽可追随电场变化，但不完全同步，有部分电能被吸收而发热，tanδ出现最大值。同样在一定频率下，惟有某一温度区域内tanδ才会出现极大值，当频率升高时，介质损耗峰移向高温端。
CAS号：
性质：又称介质损耗角正切，介电损耗角正切。表征电介质材料在施加电场后介质损耗大小的物理量，以tgδ表示，δ是介电损耗角。它表征每个周期内介质损耗的能量与其贮存能量之比。高分子材料多系绝缘性好的材料，广泛的用于电子及电工行业。使用时不希望绝缘材料本身能量损耗大，因而测量出介质损耗因数就能评价材料的介质本身能量损耗。工业上多选用介质损耗因数小的高分子材料作为绝缘材料。通常极性橡胶的tanδ比非极性橡胶的大。它还与试验采用的频率、温度紧密相关。在一定温度下，只有在某一频率范围内，分子偶极取向虽可追随电场变化，但不完全同步，有部分电能被吸收而发热，tanδ出现最大值。同样在一定频率下，惟有某一温度区域内tanδ才会出现极大值，当频率升高时，介质损耗峰移向高温端。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条