补充资料：微重力下生长单晶

微重力下生长单晶
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　　微重力下生长单晶single crystal growth undermicrogravity在微重力条件下生长单晶的技术。微重力是指在10--590或更小的重力加速度下的一种失重状态。g0为地球表面的平均重力加速度。 可用落塔(管)、抛物线飞行的飞机、探空火箭等获得微重力环境，但其处于微重力状态的时间很短，不可能生成单晶。在真空落塔(管)中可获得10一690的微重力，而其他方法只能达到10一290。只有在绕地球飞行的航天器中才能获得足够长时间的微重力条件以生成单晶。航天器中物体由于与地心间距离增加导致的重力加速度减小的数值并不大，而作轨道飞行时的离心加速度却可与地球的重力加速度相平衡，使物体处于微重力加速度作用下。在航天器中不可能达到零重力状态，这是因为有偏离质心的重力梯度引起的残余重力、航天器绕其质心旋转引起的科里奥利力、大气的阻力加速度和其他外力产生的加速度，如宇航员的活动等。这些因素是限制航天器内微重力水平的主要因素。宇航员的活动和舱内仪器的运转是瞬变加速度的根源，其余因素归属于准定常加速度。根据空间实验，准定常加速度可达4又10刃g0，而宇航员活动引起的最大瞬变加速度超过10--2g0。故无人操作的空间平台是具有长时间微重力的理想态能谱研究这些单晶确认，不仅深能级类型减少，而且能级密度也降低1一2个数量级。可见空间生长的单晶有精确的化学配比。用空间生长的GaAs材料制作的低噪声场效应晶体管，噪声系数低、机关增益大。空间生长GaAs有好的纯度、均匀性和重复性。 ③HgCdTe单晶:H邪dTe各组分比重相差很大，在地面上难于均匀混合。前苏联在宇宙飞船上以3毫米/小时的生长速度，从熔体中生长出了有很好的均匀组分分布的单晶。 ④其他半导体单晶:人们在空间还完成了大量其他m一V、n一砚和N一VI族半导体材料空间的研究，如GaP、Insb、CdTe、PbTe、PbsnTe、GeTe和Gese等。其中有许多是关于单晶空间生长一般特点的基础研究，积累了大量经验。 经过10多年的努力，人们认识到，半导体空间产业的困难尚很多。空间实验室建设的周期长、耗资大。迄今为止，空间单晶生长所取得的成就并不足以使工业投资者欢欣鼓舞。可以设想，近20年内建立半导体空间产业的可能性不大，但可以期待取得某些重大突破。 (钟兴儒)空间环境。 重力对金属熔体、溶液和在一个固定空间气体中的传热传质过程影响很大。在重力条件和微重力条件下，熔体生长、液相外延及化学气体输运法生长的晶体性质有重大差别。

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