1)  PLZT
					
	
					
				
				
	
					
				掺镧锆钛酸铅
				1.
					After being prolyzed and sintered, The PLZT ceramic fibers with a diameter of 25μwere obtained.
						
						以乙酸铅、乙酸镧、乙酸氧锆和钛酸丁酯为原料,用溶胶-凝胶法制备了掺镧锆钛酸铅(PLZT)凝胶纤维。
					
					2)  lead lanthanum zirconate titanate
					
	
					
				
				
	
					
				掺镧锆钛酸铅
				1.
					Based on the optical characteristics of lead lanthanum zirconate titanate(PLZT) electro-optic ceramic,an optical phased-array beam deflector with up-down electrode structure′s transverse electro-optic effect was proposed.
						
						基于掺镧锆钛酸铅(PLZT)电光陶瓷材料的光学特性,提出了一种具有上下电极结构的光学相控阵高速光束扫描器。
					
					3)  lanthanum-modified lead zirconate titanate(PLZT)
					
	
					
				
				
	
					
				掺镧锆钛酸铅(PLZT)
			
					4)  lanthanum-doped lead zirconate-lead titanate
					
	
					
				
				
	
					
				掺镧锆酸铅—钛酸铅
			
					5)  PLZT
					
	
					
				
				
	
					
				锆钛酸铅镧
				1.
					Preparation and Properties of PLZT Thin Films;
					
					
						
						
					
						锆钛酸铅镧薄膜的制备与性能研究
					2.
					PLZT films have many significant applications in the ferroelectric integrated fields such as ferroelectric random access memories (FeRAM), dynamic random access memories (DRAM), etc.
						
						锆钛酸铅镧铁电薄膜(PLZT)由于具备许多优良的铁电、介电性能、压电效应和电光效应等物理性能,被广泛的应用于动态随机存储器DRAM、非挥发性存储器FeRAM等铁电集成领域。
					3.
					Polycrystalline dysprosium (Dy) doped lanthanum zirconate-titanate (PLZT) ceramics with compositional formula [Pb0.
						
						针对锆钛酸铅镧(PLZT)电光陶瓷在光调制器应用中存在工作电压偏高、场致滞后明显等不足,以镧系镝(Dy)元素对锆钛酸铅镧(Pb0。
					
					6)  PLT
					
	
					
				
				
	
					
				掺镧钛酸铅
				1.
					Ferroelectric lanthanum-doped lead titanate (PLT) thin films have been fabricatedon Si(100)substrates by RF magnetron sputtering.
						
						用射频磁控溅射法在Si(100)衬底上制备了掺镧钛酸铅(PLT)铁电薄膜。
					2.
					1))TiO_3,PLT10],were grown by RF magnetron sputtering,on Si(100) and Pt/Ti/SiO_2/Si(100) substrates under the same growth conditions,respectively.
						
						采用射频磁控溅射技术,使用相同的工艺条件在Si(100)基底和Pt/Ti/SiO2/Si(100)基底上生长了掺镧钛酸铅[(Pb0。
					3.
					1))TiO_3,PLT10]ferroelectric thin films were grown on Si(100) and Pt/Ti/SiO_2/Si(100) substrates by RF magnetron sputtering.
						
						采用射频磁控溅射技术在Si(100)基底和Pt/Ti/SiO2/Si(100)基底上生长了掺镧钛酸铅[(Pb0。
					补充资料:锆钛酸镧铅铁电陶瓷
		分子式:
CAS号:
性质:锆钛酸镧铅Pb(1-x)LaxZrTiO3固溶体为主晶相的透明铁电陶瓷。其中Zr/Ti摩尔比约为0.65/0.35,x=0.02~0.12。主要原料为四氧化三铅、三氧化二镧、二氧化锆和二氧化钛。可采用固相法合成。也可采用化学共沉法制取(制品为粉料,有助提高透明度)。该陶瓷通常采用热压烧结工艺(压力为15~40MPa,温度为1100~1250℃),保持10~30h,可获得几乎全透明铁电陶瓷。外加电场可引起极化状态变化或相变,并引起光学性质变化(如双折射率,散射,表面变形及静电现象等)。主要可用作光开关(如核热闪光护目镜及立体观察镜),图像存储器,显示器及感光显像管(器)等。
		
		CAS号:
性质:锆钛酸镧铅Pb(1-x)LaxZrTiO3固溶体为主晶相的透明铁电陶瓷。其中Zr/Ti摩尔比约为0.65/0.35,x=0.02~0.12。主要原料为四氧化三铅、三氧化二镧、二氧化锆和二氧化钛。可采用固相法合成。也可采用化学共沉法制取(制品为粉料,有助提高透明度)。该陶瓷通常采用热压烧结工艺(压力为15~40MPa,温度为1100~1250℃),保持10~30h,可获得几乎全透明铁电陶瓷。外加电场可引起极化状态变化或相变,并引起光学性质变化(如双折射率,散射,表面变形及静电现象等)。主要可用作光开关(如核热闪光护目镜及立体观察镜),图像存储器,显示器及感光显像管(器)等。
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
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