1)  dumping belt width
					 
	
					
				
				 
	
					
				排土带宽度
				1.
					Based on the analysis of parameter characteristics of dumping belt widths of a belt conveyor, the authors develop an optimized model for establishing the dumping belt widths by stability analysis, and calculate the optmum dumping belt widths by unconstrained optimization.
						
						分析胶带排土机排土带宽参数特征,提出用稳定性分析方法确定排土带宽度的优化模型,通过无约束优化法计算排土带宽度的最优值,并应用于南芬露天矿胶带机排土过程计算,结果表明,与设计值相比可提高排土机综合工作效率5 % 以上。
					
					2)  waste disposal belt conveyor system
					 
	
					
				
				 
	
					
				胶带排土
				1.
					Based on modern technologies such as fuzzy mathematics,operations research,limit equilibrum theory and CAD technique,the method for optimizing waste disposal belt conveyor system in open pit mine is established.
						
						综合运用模糊数学、运筹学、极限平衡理论及CAD技术 ,提出露天矿胶带排土系统的优化方法 ,并对大孤山铁矿胶带排土参数进行了优
					
					3)  band gap
					 
	
					
				
				 
	
					
				禁带宽度
				1.
					Measuring the band gap of silicon using silicon photocells;
					 
					
						
						 
					
						利用硅光电池测量硅单晶半导体材料的禁带宽度
					2.
					It also showed that the optical absorption edge of the annealed film appeared shifted towards the longer wavelength side and the band gap decreased by 0.
						
						光学性质显示退火处理的薄膜吸收边缘明显的向长波的方向移动,发生红移现象,而且禁带宽度减少了0。
					3.
					Based on the simulation, the best band gap and the optimal thickness of each junction were carried out.
						
						本文对a Si∶H叠层薄膜太阳电池进行了计算机模拟,提出各层电池的禁带宽度最佳匹配以及各层电池本征层的最佳厚度的设计方案。
					
					4)  Bandgap
					['bændɡæp]
					 
	
					
				
				 
	
					
				禁带宽度
				1.
					Relationship Between Intrinsic Breakdown Field and Bandgap of Materials;
					 
					
						
						 
					
						本征击穿电场与禁带宽度的关系
					2.
					Determined the bandgap of ncSi using a heterojunction CV;
					 
					
						
						 
					
						电容-电压法测定纳米硅的禁带宽度
					3.
					Determination of bandgap in SiGe strained layers  using a pn heterojunction C-V;
					 
					
						
						 
					
						pn结电容-电压法测量应变SiGe禁带宽度
					
					5)  band-gap
					 
	
					
				
				 
	
					
				禁带宽度
				1.
					The band-gaps of BN(n,0) nanotubes also increase with the increase of n and converge at 5.
						
						BN(n ,0 )纳米管的禁带宽度随着n的增大而增大 ,并收敛于 5 。
					2.
					The transmission spectra of ZnS films were measured,optical constants and band-gap of ZnS films were obtained.
						
						利用薄膜分析系统测量不同沉积时间制备的ZnS薄膜透射谱,通过分析薄膜透射谱,来确定ZnS薄膜光学常数和禁带宽度。
					
					6)  crawler width
					 
	
					
				
				 
	
					
				履带宽度
	补充资料:板带宽度测量
		板带宽度测量
width measurement of plate and strip
薯 光电测宽原理图 1一光源;2一被测板带;3一给定丝杆;4一图像传感器; 5一电机;6一码盘;7微处理机;8一操作盘 对于尺寸较小的板带宽度(或厚度和长度),可以用单个光电摄像传感器进行测量。当CCD元件不选用线性组件而选用面形组件时,配以相应的信号处理系、统,可以测量被测体的外形尺寸,可以作为摄像机加以显像。banda一kuandu ee}旧ng板带宽度测量(width mensurement of plateand strip)指板带宽度尺寸的在线测量。在大多数情况下,用光电测宽仪测量轧机出口处板带材的宽度,作为轧机控制或控制模型的信号源,有宽度显示作为操作人员所需的工艺参数,在精整剪切线上作为剪切控制的信号源。 光电测宽方式原理如图所示。常用的仪表有光电扫描式和光电摄像式两类。它们的测量范围为50。~22oomm,测量精度达士0.1%。前者光学机械较多,结构较复杂;后者结构较简单,可靠,维护量小。二者的不同点在于图像传感器的不同。光电摄像传感器使用光藕合器件(C CD)作为信号接受元件(见轧件直径测量),每个光电摄像传感器由CCD接收器件、光学镜头、时序电路和信号处理电路等组成。传感器装在被测板的上方,被测板下方放置背底光源,如果被测板的温度在900‘c以上时也可不用背底光源。根据光学成像原理,被测板边缘清晰地成像在CCD元件下。每个摄像传感器测量的宽度值连同设定宽度值进行数据处理,即可求得被测板的实际宽度值。(见彩图插页第39页)用CCD元件组成的测量仪表还在发展,以提高测量精度、分辨率以及增加功能、配备图像显示等为目标。 〔申敬府朱德芳〕
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
	参考词条