1) ionized cluster beams deposition
离化团束沉积
2) ionized cluster beam deposition
离化团簇束沉积
3) reactive ionized cluster beam deposition
反应离化团簇束沉积
1.
The principle and properties of reactive ionized cluster beam deposition technique(RICBD) have been introduced.
讨论了反应离化团簇束沉积 (RICBD)方法的原理和特点 ,利用改进的双气流方式和ZnO缓冲层技术在Si衬底上生长GaN薄膜 ,并用XPS、XRD和PL对样品进行了测试分析 ,证实形成了良好的GaN薄膜。
4) ionized cluster beam
离化团束
1.
Carbon nitride thin films have been prepared by reactive ionized cluster beam (RICB)technique on Si(100)and NaCl(100) substrates, using low molecular weight polyethylene as evaporation material and ammonia as reactive gas.
用反应离化团束（ＲＩＣＢ）法，以低分子量聚乙烯为蒸发材料，氨气为反应气体，在ＮａＣｌ（１００）和Ｓｉ（１００）衬底上淀积Ｃ—Ｎ薄膜。
5) Ion beam deposition
离子束沉积
1.
Sn and In soft metal films, Al2O3 ceramic film and In/Al2O3 dual film were prepared with ion beam deposition technique.
采用离子束沉积方法在Ta12W合金表面制备了Sn,In软金属薄膜,Al2O3陶瓷薄膜和In/Al2O3复合薄膜。
2.
The (111) textured cubic silicon carbide (3C-SiC) thin films are deposited on (111) Si substrates using the mass-selected ion beam deposition technique at various substrate temperatures.
在硅衬底上利用具有质量选择功能的低能离子束沉积技术沉积碳离子制备出除碳、硅之外无其他杂质元素的纯净的立方SiC薄膜。
6) cluster-beam deposition
团簇束流沉积
补充资料：离子团束外延
离子团束外延
ion cluster beam epitaxy
{一z一t以onshu四a一yan离子团束外延(ion eluster bea伊epi‘axy) 在真空中利用离子团束输运技术进行半导体薄膜材料制备的一种方法。其基本原理是:在真空装置中石墨增祸内放置待沉积材料，增竭盖上有一小孔称为喷嘴，根据所用源材料增竭加热到预期温度，源材料在柑涡内气化，产生1、loPa蒸汽压，真空室本底压力为1『叹Pa，气态源从喷嘴喷射出来进入高真空区，经历绝热膨胀过程，温度下降，原子凝聚成团。喷嘴上方的离化器使部分原子团离化成离子团，衬底偏谈几千伏负压。离子团被加速和未离化的中性原子团共同沉积在衬底表面上。原子团和离子团是松散的非晶结构，到达表面碎裂为原子。控制衬底温度和加速电压，沉积膜可以是非晶、多晶和单晶。 沉积束中离子团具有能量，对结晶膜的生长动力学产生很大影响。提高了原子表面迁移率，增强了沉积原子的粘附系数，能在比较低的温度下生长同质或异质单晶层。也可用丁:绝缘介质和金属膜沉积。 (余怀之)
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参考词条