说明:双击或选中下面任意单词,将显示该词的音标、读音、翻译等;选中中文或多个词,将显示翻译。
您的位置:首页 -> 词典 -> 介电双峰
1)  dielectric dual peaks
介电双峰
1.
Di- electric properties measurments showed that the optimum value of dielectric constant was obtained and the phenomenon of dielectric dual peaks was found for composition near the morphotropic phase boundary.
同时还发现, 准同型相界处的陶瓷出现介电双峰,其中一个为弛豫型铁电相向顺电相转变的相变峰;另一个 介电峰处于130~150℃的高温区,可能是由镍离子变价、相结构变化等缺陷引起的松弛极化 产生的。
2)  double resistance-peak
双电阻峰
1.
The result shows that the curve of resistivity-temperature would appear double resistance-peak phenomenon between(1 200 ℃) and(1 400 ℃).
实验研究了在不同工艺条件下制备的L a2/3C a1/3M n1-xCuxO3系统,结果显示在1 200~1 400℃温度范围内,电阻率-温度曲线上会出现双电阻峰现象。
3)  double resistivity bumps
电阻双峰
4)  double capacitance humps
双电容峰
5)  Bifurcated current sheet
双峰电流片
6)  two-electron satellite
双电子卫星峰
补充资料:复介电常数


复介电常数
complex dielectric constant

  倒£“ED(t)=“(田)及cos田t+£,,(留)凡sin山t(1)相角子,即式中:/(。卜会cos“(。),:。(。卜会sin“(。)(2)tg占=损耗电流11_f充电电流Ic一万 (7)即在交变电场下,D(t)和E(t)的关系要用两个物理量口和了来表征。上式中,相位占和了、了都是频率的函数,且与温度和电介质结构密切相关。 D(t)可分解为两个分量:一个与E同相位,另一与E有90。相位差。如将上述关系用复数表示,且令君*=Eoe,“‘,D*=Doej(“一泞),则刀‘与E*的关系可表示为 D*(t)=‘*(臼)E*(t)(3)在式中引入复数介电常数扩=了一j已,则 二(田卜;斜一会一‘一‘(田卜j一‘。,“, 静态时,。=0、占=0。即£,,=O,式(3)可表示为D=二,(0)E,其中£,(O)即为静态介电常数£s。可见,g(。)是静态介电常数在交变场下的推广,e’(。)称为频率依赖的介电常数。 动态时,在真空电容器中,电流虽然超前电场二/2,但由于占=0,而不产生损耗;故在具有介电常数的电容器中,单位时间、单位体积中损耗的能量评,可由E及与E同相的电流分量。扩E的乘积表示,即]。“E图1电介质中交流电场E 与电流I的矢量图部和虚部表示,而弛豫时间为 根据复介电常数定 义,由式(4)并经简化 处理后可得 £*(臼)=£‘(臼)一j£“ 6二一己。/。、 t田】=E。十二~一,犷一一~气己少 1一」田T 上式称为德拜公式,用 来表征复介电常数的频 率特性。如将其分成实:时,则得已=昆+65一三.l+田2r2(£。一氛)田T1十田2丁2 已,,tg口一=万,二 Q(‘s一几)田丁£s+氛田2丁2 (9)(10)(11)W一晋DOEOS‘n“一晋“‘“一‘E’“‘g“(5,合(£·l一(去‘一‘。210 10()四T由于了的变化不大,因而能量损耗与复介电常数的虚部已成正比。式(4)中了(动称为介质的损耗因子。式(5)中占称为介质损耗角,tg沙称为介质损耗角正切或介电耗散因子。 在交流电路中,若置介质于平板电容器中,并在两极间外加交流电压V V=Voej“。.,_L一~~,卜。尸。
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条