2) interface relaxation polarization
界面驰豫极化
1.
The main features of capacitance frequency curve recognize that the capacitance dispersion region results from the mechanism of interface relaxation polarization.
由电容频谱曲线的主要特征判断,界面驰豫极化机制主导这一电容弥散区。
3) Diploe relaxation
偶极驰豫
4) EIS-polarization-relaxation
电化学阻抗测量-极化-驰豫
5) relaxation
[英][,ri:læk'seɪʃn] [美]['rilæk'seʃən]
驰豫
1.
Orientational relaxation of C_(60) researched by extremal dynamic model;
C_(60)取向驰豫的极限动力学研究
2.
The equation describe the existences of the resonance states and the relaxation.
导出并求解了跃迁几率振幅的运动方程，该方程正确描写了共振态的存在和驰豫现象。
3.
And we will study the influence of the quantum dimsension effect to the relaxation construction in the item.
项目主要研究在半导体和金属衬底上生长Pb薄膜时的量子尺寸效应,即纳米量级的厚度对薄膜生长规律的影响,进而探讨量子尺寸效应对驰豫结构的影响。
补充资料：离子弛豫极化
分子式：
CAS号：
性质：陶瓷晶相中的品格缺陷(包括热缺陷和晶体发育不完全)和玻璃相中存在一些联系较弱的离子，在热运动的作用下，某些离子可以从一个平衡位置迁移到另一位置，作局部性的迁移。在正常状态下各个方向迁移的几率相等，整个介质不呈现电极性。在电场作用下，离子向一个方向迁移的几率增大，使介质呈现极化。这种极化建立的过程与温度有明显关系。当温度升高时，离子不规则运动加剧。离子弛豫极化建立的时间约10-2～10-9s。当电场频率为无线电发射频率时(例如106Hz)时，这种极化往往来不及建立，导致介电常数随频率的升高而减小。温度升高时，弛豫过程加快，极化建立可更充分些，介电常数可能升高。但温度升高时导致弛豫极化率下降，是一矛盾因素，因此能出现峰值，此后温度升高，介电常数下降。离子弛豫极化现象在钛酸锶(SrTiO3)半导体晶界层电容器等陶瓷材料中存在，并可能导致介质损耗的增加。
CAS号：
性质：陶瓷晶相中的品格缺陷(包括热缺陷和晶体发育不完全)和玻璃相中存在一些联系较弱的离子，在热运动的作用下，某些离子可以从一个平衡位置迁移到另一位置，作局部性的迁移。在正常状态下各个方向迁移的几率相等，整个介质不呈现电极性。在电场作用下，离子向一个方向迁移的几率增大，使介质呈现极化。这种极化建立的过程与温度有明显关系。当温度升高时，离子不规则运动加剧。离子弛豫极化建立的时间约10-2～10-9s。当电场频率为无线电发射频率时(例如106Hz)时，这种极化往往来不及建立，导致介电常数随频率的升高而减小。温度升高时，弛豫过程加快，极化建立可更充分些，介电常数可能升高。但温度升高时导致弛豫极化率下降，是一矛盾因素，因此能出现峰值，此后温度升高，介电常数下降。离子弛豫极化现象在钛酸锶(SrTiO3)半导体晶界层电容器等陶瓷材料中存在，并可能导致介质损耗的增加。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条