2) Γ-gate field-plate
Γ栅场板
1.
Conventional T-shaped gate and Γ-gate field-plated structures were demonstrated and compared to each other from DC,RF and microwave power characterization.
25μm栅长带有Γ栅场板结构的AlGaN/GaN HEMT,对比T型栅结构器件,研究了Γ栅场板引入对器件直流、小信号及微波功率特性的影响。
3) γ irradiation field
γ-辐射场
6) gamma field
γ射线场
补充资料：(γ-γ′)反应
分子式：
CAS号：
性质：指γ光子与靶核作用，使其激发，然后以发射光子形式退激发的过程。出射光子的能量与受激靶核性质有关，为靶核激发态与基态这两个能级之差值。该反应截面很小，只有毫靶恩量级。
CAS号：
性质：指γ光子与靶核作用，使其激发，然后以发射光子形式退激发的过程。出射光子的能量与受激靶核性质有关，为靶核激发态与基态这两个能级之差值。该反应截面很小，只有毫靶恩量级。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条