1) ferroelectric domain layer wave (FDLW)
铁电畴层波(FDLW)
2) ferroelectric domain layer wave
铁电畴层波
1.
The proposal of the ferroelectric domain layer wave in the layered structure of two identical piezoelectric ceramics has added a new facet to this topic.
本文对SH型压电表面波在由不同压电陶瓷组成的180°畴层结构中的传播问题进行了讨论,通过理论分析和数值计算得出了铁电畴层波在此结构中传播时的存在条件和色散关系。
3) ferroelectric domain
[电]铁电畴
4) ferroelectric domain
铁电畴
1.
The microstructure of periodical reversal ferroelectric domain was produced by means of the electric impulse polarization.
通过ESEM的观察与分析,在光栅电极下方,铁电畴发生了极化反转,反转区域在Y方向上有所扩展,在Z方向逐渐变窄,没能贯穿整个晶片。
2.
The ferroelectric domain in KTiOAsO 4 crystal has been researched with atomic force microscope.
利用原子力显微镜研究了KTiOAsO4 晶体的铁电畴 ,发现了这一实验方法的诸多特点 ,如放大倍数高 ,可以得到晶体表面的定量信息等 ,得到了KTiOAsO4 晶体铁电畴的原子力显微镜照片 ,并结合化学腐蚀光学显微法的实验结果进行了研究。
3.
The defects such as ferroelectric domain and dislocations in KTiOAsO 4 crystal have been researched with atomic force microscope,synchrotron radiation topography and optical microscope.
利用原子力显微镜 ,同步辐射X射线形貌术和化学腐蚀光学显微等方法深入研究了KTiOAsO4 晶体缺陷中的铁电畴和位错。
5) ferroelectric microdomain
铁电微畴
补充资料：含铋层状氧化物铁电体
分子式：
CAS号：
性质：化学通式为：(Bi2O2)2+(Ax-1BxO3x-1)2-，式中，x为钙钛矿层厚度方向的元胞数，其值为1～5；A为较大阳离子，配位数为12；B为较小阳离子，配位数为6。A、B离子组合应满足∑XAVA+∑XBVB=6x，式中，x为相应于A、B位离子浓度，V为相应于A、B位离子的离子价态。这类层状氧化物中凡具有铁电行为的化合物就称为含铋层状结构氧化物。其结构是由二维钙钛矿层和层有规则地相互交替排列而成，沿层面具有较好的解理性。自发极化强度较高。压电性能和介电性能的各向异性大。居里温度高。自发极化强度、机械品质因素、频率的时间稳定性和温度稳定性都较高。常规陶瓷工艺很难获得致密烧结体，需用热压烧成新工艺。：PbBi2Nb2O9，BaBi2Nb2O9，SrBi2TaO9，Bi4Ti3O12，PbBi4Ti4O15，PbBi4Ti5O18等属这类铁电体。用于制作滤波器，换能器等。
CAS号：
性质：化学通式为：(Bi2O2)2+(Ax-1BxO3x-1)2-，式中，x为钙钛矿层厚度方向的元胞数，其值为1～5；A为较大阳离子，配位数为12；B为较小阳离子，配位数为6。A、B离子组合应满足∑XAVA+∑XBVB=6x，式中，x为相应于A、B位离子浓度，V为相应于A、B位离子的离子价态。这类层状氧化物中凡具有铁电行为的化合物就称为含铋层状结构氧化物。其结构是由二维钙钛矿层和层有规则地相互交替排列而成，沿层面具有较好的解理性。自发极化强度较高。压电性能和介电性能的各向异性大。居里温度高。自发极化强度、机械品质因素、频率的时间稳定性和温度稳定性都较高。常规陶瓷工艺很难获得致密烧结体，需用热压烧成新工艺。：PbBi2Nb2O9，BaBi2Nb2O9，SrBi2TaO9，Bi4Ti3O12，PbBi4Ti4O15，PbBi4Ti5O18等属这类铁电体。用于制作滤波器，换能器等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条