1) ion backsatering
离子束背散射
2) High energy ion backscattering
高能离子背散射
3) backscattering factor
背散射因子
1.
Monte Carlo calculation of backscattering factor for quantitative AES analysis;
Monte Carlo方法计算定量俄歇电子能谱分析中的背散射因子(英文)
4) Proton backscattering
质子背散射
5) backscattered electron
背散射电子
1.
Emission of the backscattered electrons from ultra-thin film on substrate under the action of low-energy beams;
低能束作用下衬底上超薄膜背散射电子发射
2.
Using Monte Carlo method, both emission and spatial distributions of the backscattered electrons(BSEs) of the solids Al,Cu,Ag,Au under the action of low energy electrons with energy E 0≤5*!keV have been simulated and calculated.
应用MonteCarlo方法 ,对能量E0 5keV低能电子作用下固体Al、Cu、Ag、Au的背散射电子发射及表面空间分布作了计算 。
3.
The spatial distribution of backscattered electron in solids have been calculated by Monte Carlo method, based on Mott cross-seCtion for elastic scattering as well as Streitwolf,Quirm and Gryzinski s cross-section for inelastic scattering.
应用ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ方法，对不同能量低能电子作用下背散射电子在固体中的空间分布作了计算，电子的弹性散射用Ｍｏｔｔ截面描述、非弹性散射按文献［３］的方法由Ｓｔｒｅｉｔｗｏｌｆ。
6) neutron back scattering
中子背散射
1.
The oil-water interface neutron gauge for oil storage tank is developed by using the neutron back scattering technique.
利用中子背散射技术,研制出一种立罐油水界面中子测量仪。
补充资料：离子背散射分析
离子背散射分析
ion baek seattering analysis
、少气‘父万离子背散射分析son baek Seattering analysis一种材料表面分析方法。又称卢瑟福背散射分析(RBS)。基于20世纪初L.卢瑟福(Rutherford)提出的原子模型及其验证实验的思想建立起来的。 基本原理和特点一束具有一定能量的离子垂直射入样品，大部分离子在前进中与样品中的原子核或核外电子碰撞，改变运动方向，逐渐损失其能量，最终停止在样品中。有少数足够靠近样品中原子核(距离约10巧一10’4人)的离子，受库仑排斥作用发生大角度的弹性散射，返回并飞出样品表面，这些离子称为背散射离子。用离子探测器探测这些背散射离子的数量和能量，可以得到一个离子背散射谱。背散射离子的散射过程可看作单次碰撞事件，可用两体运动学进行分析。因此，通过对入射离子的原子质量、散射离子散射前后能量的变化、散射截面(几率)以及离子在样品中能量损失等数据的分析和计算，可以确定样品中所含元素种类，含量以及分布状况。 离子背散射分析方法自20世纪初开始，经不断研究改进，逐步完善。美国特克维奇(Turkevich)等使用离子背散射分析方法，完成了月球表面土壤成分分析的报告(1968)。这一成果标志着此分析方法已经成熟。’此后由于加速器技术、探测器技术以及其他分析仪器的迅速发展，离子背散射分析已广泛应用于半导体材料、集成电路工艺、材料科学等领域，成为一种重要的材料表面分析手段。 离子背散射分析可以用于分析单元素自支撑薄膜的成分和厚度，均匀多元素试样的元素成分、含量，以及轻元素基材中重元素杂质的成分、含量和分布情况。与一般分析方法相比，它是一种无损、快速又无需标准样品的分析方法。 仪器构造离子背散射分析装置包括:一台提供入射离子的静电加速器或串列加速器;加速器的束流管道与一专用样品室(靶室)相连，样品室中装有一个位置和角度可调节的样品架，以及一个半导体面垒型探测器，样品室的真空度为1少4一10一SPa，最好采用无油系统;离子探测器经前置放大器、主放大器连结多道脉冲幅度分析器。脉冲幅度分析器可把信号输入计算机，直接进行数据处理，给出分析结果。入射离子一般选用He+，能量为1一3MeV，流强为10一100nA，束斑直径1mm左右。探测器探测方向和束流入射方向成1350左右的夹角。为了避免入射离子和样品中的原子发生核反应，入射离子能量要在核反应共振闭值以下，因此入射离子在样品中的射程不长.分析层厚度约为1八m。有些特殊的分析工作也选用H十、C+或较重的离子作为入射离子。 沟道背散射分析在离子背散射分析技术发展的过程中，60年代初形成了一种与之相关的沟道背散射分析。当被分析的样品是晶体材料，离子入射角小于某一临界角时，入射离子受到晶格原子周期库仑势的制约，只能在晶面之间振荡前进，此时背散射离子产额迅速下降，这种现象称为沟道效应。利用沟道效应可以分析晶体的晶格损伤情况，确定杂质原子在晶格中的位置以及晶格定位。沟道背散射分析装置与离子背散射分析装置相同，只是对束流能量稳定度、束流准直性和稳定性要求更高，样品架应在X、Y、23个方向及倾角、转角等进行精确的五维调节。
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参考词条