1) nonlinear time-frequency distribution
非线性时频分布
1.
Nonlinear time-frequency distribution and its application in frequency -hopped signal analysis are introduced.
介绍了利用非线性时频分布(WVD和SPWVD)进行跳频信号分析,通过理论研究和仿真分析表明,非线性时频分布能够反映出信号的瞬时能量分布,是关于信号二阶统计量(如局部自相关函数)的Fourier变换,相对Fourier变换和线性时频分布而言,它具有更好的时频聚集性,能够很好地展现跳频信号的时频特征和能量分布,采用加窗处理等方法,可以较好地抑制非线性时频分布中的交叉项和能量分布的负值性,从而证明了非线性时频分布用于跳频信号分析研究的工程应用可行性。
2) linear time-frequency distribution
线性时频分布
1.
Application of two linear time-frequency distribution in ISAR imaging of maneuvering target;
两种线性时频分布在机动目标ISAR成像中的应用
3) bilinear time-frequency distributions
双线性时频分布
1.
An analysis on cross-terms interference of bilinear time-frequency distributions for multi-component chirp signals, which often appear in some engineering applications and many natural phenomena, is given in this paper.
以广泛出现在许多工程应用领域和物理现象中的多Chirp成分信号为对象,研究了双线性时频分布对这种信号时频分布的交叉项特点,推导了几种分布的交叉项的数学表示,从模糊平面分析了交叉项抑制的机理,提出了双线性时频分布对多Chirp成分信号时频表示存在局限,仿真试验结果显示理论分析正确。
4) bilinear time-frequency distribution
双线性时间-频率分布
1.
To detect transient signals under complex background,a novel method of aliasing-free exponential bilinear time-frequency distribution is presented in this paper,which can avoid the frequency aliasing and information loss existing in the traditional bilinear distributions,reduce the crossterms effectively and possess high time-frequency resolution.
针对复杂背景条件下瞬时信号的探测,提出一种新的无混叠双线性时间-频率分布方法,该方法能够避免常用的双线性时频分布中的频率混叠与信息丢失,有效减小交叉项干扰,而且具有较高的时频分辨率。
5) Cohen bilinear time-frequency distribution
Cohen类双线性时频分布
1.
In the nonstationary signal processing technology Cohen bilinear time-frequency distribution technology has the good time frequency resolution,WVD time frequency resolution has achieved the indefinite principle bottom,has the unique superiority in the nonstationary signal processing te.
非平稳信号处理技术中的Cohen类双线性时频分布技术拥有良好的时频分辨率,其中的WVD的时频分辨率已达到不确定原理下界,在非平稳信号处理技术中有独特优势。
6) bilinear time-frequency distributions(BTFD)
双线性时频分布(BTFD)
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条