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1)  High-power piezoelectric ceramics
大功率压电陶瓷
1.
High-power piezoelectric ceramics are desirable to combine a high mechanical quality factor(Qm) with a high piezoelectric constant(d 33) and a high planar coupling factor(Kp).
大功率压电陶瓷要求材料不但在强场下有小的介质损耗,大的机械品质因数,同时兼备一定的压电常数和机电耦合系数。
2)  ceramic amplifier
(压电)陶瓷放大器
3)  ceramic high-power tetrode
陶瓷大功率四级管
4)  piezoelectric ceramics
压电陶瓷
1.
Effects of Sr substitution amount on PMNS-PZT piezoelectric ceramics;
Sr取代量对PMNS-PZT压电陶瓷的影响
2.
Progress in fabrication and properties of LiTaO_3 matrix piezoelectric ceramics;
LiTaO_3基压电陶瓷的制备与性能研究进展
3.
The Current Progress of BNT Lead-free Piezoelectric Ceramics;
Bi_91/2)Na_(1/2)TiO_3无铅压电陶瓷的研究进展
5)  PZT
压电陶瓷
1.
The Hardware and Software Implement for Micro-feed Platform and Control System Based on PZT;
基于压电陶瓷的微进给工作台及其控制系统的软硬件实现
2.
A Controller of Micro-Positioning System Using PZT for Ultra-precision Grinding;
面向超精密磨削的压电陶瓷驱动微进给控制系统
3.
A controller of micro-positioning system using PZT for ultra-precision machining;
面向超精密加工的压电陶瓷驱动微进给系统的控制实现
6)  piezoelectric ceramic
压电陶瓷
1.
Research on linearization of piezoelectric ceramic actuator based on virtual instrument;
基于虚拟仪器的压电陶瓷线性化研究
2.
Using ANSYS to analyze the vibration state of piezoelectric ceramic;
用ANSYS软件分析压电陶瓷的振动状态
补充资料:大功率电力电子器件


大功率电力电子器件
power electronic devices

  dagonglU dlonl一d.Qnz一ql]lon大功率电力电子器件(powe:eleetroniedevices)用于处理大容t电功率、能够控制电路通断的电子器件。由于都是半导体器件,故又称电力半导体器件(power semieonduetor deviees)。电力半导体器件是在20世纪50年代初发展起来的半导体学科中与徽电子、光电子并肩迅猛发展的一门高技术。它是电力电子技术的基础和重要组成部分。随着电力半导体器件品种的增多和技术水平的提高,它的应用范围也日渐扩大。其应用范围涉及电力工业(如直流愉电、灵活交流粉电系统)、工业电源(如感应加热、电焊机、大型电解电被设备)、交通运物(如机车牵引、电动汽车)、电机控制(如发电机励磁、交直流电动机的调速)、家用电器(如空调、电热)、通信电源等等。应用领城的佑求(如节能、节材、缩小体积重且),要求器件的工作叔率、结构以及封装方式等不断扩大及更新,又促进了器件品种和水平的发展。 由于电力半导体器件处理的是能源,减少损耗提高效率是它主要追求的目标.为此,所有电力半导体器件无不工作在开关方式下,这是它与徽电子器件的根本区别.但在组成电路时又需要采取措施对开关方式带来的波形毛刺及谐波等电网公害进行处理。 1947年第一只晶体管的诞生开始了半导体电子学的新纪元。1956年研制成带有开关特性的晶闸管,为半导体在功率控制领域的发展显示了光明的前景。最早发展起来的器件有整流二极管(rectifier diode)和晶闸管(t ransistor)。它们曾经主宰电力电子市场20余年.其品种、规格为了适应市场的需要已经发展成一个魔大的系列。以晶闸管为例,已经派生出高压大电流晶闸管、光控晶闸管、高频快速晶闸管、逆导晶闸管、双向晶闸管、门极辅助关断晶闸管、非对称晶闸管等等。这些器件的功能只限于用门极控制电路的开通,故名半控型.自20世纪70年代末开始,由于采用了徽电子技术的工艺成就,制成了大功率晶体管(gianttransistor,GTR)和可关断晶闸管(gate turn一offthyristor,GTO)。这一类器件既能用门极控制开通又能控制关断,故名全控型. 上述器件都是以电子和空穴两种载流子的运动为基础的,所以这类器件被称为双极型器件(bipo肠rdevices)。由于器件工作时两种载流子的产生与复合描要时间,妨碍了器件工作频率的进一步提高。双极型器件一般只能工作在10kH:以下,最高的也只能工作到20~sokH:。由于技术发展,要求其颇率范围日益扩大。
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