1) Cd1-xMnxTe
碲锰镉
2) HgCdTe
碲镉汞
1.
Morphology Study on HgCdTe Film Grown of MOVEP;
气相外延法生长碲镉汞薄膜的形貌特性研究
2.
Study on the Composition and Homogeneity Control of HgCdTe Crystal;
碲镉汞晶体组分及其均匀性控制研究
3.
Effect of laser energy on annealing of ion implanted HgCdTe;
激光能量对碲镉汞注入样品退火效果的影响
3) CdZnTe
碲锌镉
1.
Research on Growth and Properties of CdZnTe Single Crystal;
优质碲锌镉单晶的生长及性能测试
2.
Evolution of Solid-liquid Interface of CdZnTe Crystal Growth by Vertical Bridgman Method;
碲锌镉垂直布里奇曼法晶体生长过程固液界面的演化
3.
Morphology characteristics of etch pits on CdZnTe crystals developed by usual etchants;
碲锌镉晶体常用腐蚀剂的坑形特性研究
4) CdTe
碲化镉
1.
Degradation of Ethidium Bromide Using CdTe Quantum Dots as Photo-catalysts;
碲化镉量子点光催化降解溴化乙锭的研究
2.
Application of Spectral Analysis in Growing Technique and Evaluating of the Quality of CdTe Crystal;
光谱分析在碲化镉晶体制备和晶体评价中的应用
3.
An Overview of CdTe Thin Film Solar Cells and Relevant Sputtering Fabrication;
碲化镉薄膜太阳能电池及其溅射制备
5) CdTe thinfilm
碲镉薄膜
6) MCT
碲镉汞
1.
Magnetic-field Effect MCT Crystal Composition Distribution;
磁场对布里兹曼法碲镉汞晶体组分分布的作用
2.
The In Bump Growth on the Large Scale MCT IR Device;
新型大面阵碲镉汞探测器In柱生长工艺研究
3.
Study low frequency noise of MCT MW photoconductive detectors by changing background radiation;
改变背景辐射研究碲镉汞中波光导探测器低频噪声
补充资料：碲化镉
分子式：
CAS号：
性质：周期表第II，VI族元素化合物半导体。强离子性的共价键结合。立方晶系闪锌矿型结构，晶格常数0.6477nm，为复式晶格。密度5.86g/cm3。熔点1098℃。室温禁带宽度1.50eV。电子和空穴迁移率分别为6×10-2和6.5×10-3/(V·s)。采用区域熔炼法、高压熔融法制备单晶。用于制作近红外光探测器、γ和X射线谱仪、电光调制器等。
CAS号：
性质：周期表第II，VI族元素化合物半导体。强离子性的共价键结合。立方晶系闪锌矿型结构，晶格常数0.6477nm，为复式晶格。密度5.86g/cm3。熔点1098℃。室温禁带宽度1.50eV。电子和空穴迁移率分别为6×10-2和6.5×10-3/(V·s)。采用区域熔炼法、高压熔融法制备单晶。用于制作近红外光探测器、γ和X射线谱仪、电光调制器等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条