1) AlInGaAs/AlGaAs strained layer quantum well lasers
AlInGaAs/AlGaAs应变量子阱激光器
2) GaAsP/AlGaAs quantum-well laser
GaAsP/AlGaAs量子阱激光器
3) InGaAs/AlGaAs SCH DQW lasers
InGaAs/AlGaAs分别限制双量子阱激光器
4) strained quantum well laser
应变量子阱激光器
1.
GSMBE grown 1 84 micron wavelength InGaAs/InGaAsP/InP strained quantum well lasers are reported.
84μm的 In Ga As/ In Ga As P/ In P应变量子阱激光器 。
5) strained multiple quantum well laser
应变多量子阱激光器
1.
The waveguided mode of 680 nm GaInP/AlGaInP strained multiple quantum well laser is analyzed by using transfer matrix method.
用转移矩阵方法对 680nmGaInP/AlGaInP应变多量子阱激光器的波导模式作了分析和计算。
6) Squeezed strained quantum well laser
压应变量子阱激光器
补充资料：单量子阱(见量子阱)
单量子阱(见量子阱)
single quantum well
单且子阱sillgle quantum well见量子阱。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条