1) GaAs1-xSbx /GaAs
GaAs1-xSbx/GaAs
1.
The fluorescent characteristic and the time resolution spectrum characteristic of GaAs1-xSbx /GaAs quantum wells grown on molecular beam epitaxy(MBE) are studied.
研究了分子束外延生长的不同含量的GaAs1-xSbx/GaAs量子阱的光荧光特性和时间分辨光谱特性。
2) Mn_5Ge_(3-x)Sb_x
Mn5Ge3-xSbx合金
3) AlGaAs/GaAs
Al GaAs/GaAs
1.
We design and fabricate a 128×128 AlGaAs/GaAs quantum well infrared photodetector focal plane array (FPA).
报道了128×128 Al GaAs/GaAs量子阱红外焦平面探测器阵列的设计和制作。
4) Mg4(Nb2-xSbx)O9 solid solution
Mg4(Nb2-xSbx)O9固溶体
5) GaA/GaInNAs
GaAs/GaInNAs
6) LEC SI-GaAs
LECSI-GaAs
补充资料：semi-insulating GaAs crystal
分子式：
CAS号：
性质：电阻率大于1×107Ω·cm的砷化镓单晶。用掺入铬、氧等深受主杂质补偿硅等浅施主来生长半绝缘单位，也用高压单晶炉用热解坩埚由砷、镓直接合成非掺杂电子迁移率半绝缘单晶。为高速、高频器件及电路、光电集成电路的重要衬底材料。主要用作二氧化碳激光器的耦合输出窗口。
CAS号：
性质：电阻率大于1×107Ω·cm的砷化镓单晶。用掺入铬、氧等深受主杂质补偿硅等浅施主来生长半绝缘单位，也用高压单晶炉用热解坩埚由砷、镓直接合成非掺杂电子迁移率半绝缘单晶。为高速、高频器件及电路、光电集成电路的重要衬底材料。主要用作二氧化碳激光器的耦合输出窗口。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条