1) infrared nonlinear material
红外非线性材料
2) IR nonlinear optical material
红外非线性光学材料
3) infrared materials
红外线材料
4) uv nonlinear optical crystal
紫外非线性光学材料
1.
In this paper,a description of research advance on the growth of some important uv nonlinear optical crystals.
主要论述了近十多年来由我所发现和发展起来的几种重要的紫外非线性光学材料如ＢＢＯ、ＬＢＯ和ＫＢＢＦ等的晶体生长方面的研究工作进展。
5) infrared transparent material
透红外线材料
6) material nonlinearity
材料非线性
1.
The finite element formulation of generalized inverse matrix force method,or so-called large increment method (LIM) for material nonlinearity problems is proposed.
广义逆(generalized inverse matrix,GIM)力法是一种从经典力法的求解思路中引发而出的基于力法和广义逆矩阵理论的一种新的迭代解法,对于求解材料非线性问题具有其独特的特点和优势。
2.
Compared with linear cases,the effect of material nonlinearity on critical loads depends on the ratio between the length and the thickness of delamination (2 a/h′ ) and the stacking angle θ of the pl.
基于修正的Hahn Tsai非线性本构关系 ,用准三维有限单元法分析了材料非线性对对称角铺设复合材料层板分层屈曲、后屈曲以及能量释放率的影响 ,提出一种修正的反幂法计算材料非线性层板的临界载荷· 与不考虑材料非线性结果比较表明 :材料非线性使复合材料层板的屈曲载荷降低 ,降低幅度与分层长度和纤维铺设方向有关 ;能量释放率及其组分均有不同程度增加 ;后屈曲变形加快 ,裂尖层间应力奇异程度下降
3.
Combining material nonlinearity with large deformation, the computational results of the FWC have been obtaine.
在同时考虑材料非线性和大变形情况下对纤维缠绕壳体内压进行了有限元分析计算，获得了与实验结果符合较好的理论预报结果。
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条