1) oxide film breakdown
氧化层击穿
1.
Dielectric oxide film breakdown mechanism of IC device in human body model;
HBM模型中IC器件氧化层击穿机理
2) gate oxide soft breakdown
栅氧化层软击穿
1.
The failure mechanism of gate oxide soft breakdown (as MOSFETs main failure mode) under electromagnetic pulse stress is analyzed,and it is obtained that this agrees to degradation failure model based on stochastic process.
通过分析电磁脉冲应力下,栅氧化层软击穿(MOS器件主要失效模式)的失效机理,得出结论:它符合基于随机过程的退化失效模型。
3) tunnel oxide
隧穿氧化层
4) fluorinated tunneling-oxide
F化隧穿氧化层
6) Barrier Punth Thur
阻挡层击穿
补充资料：二氧化双环戊二烯玻璃布层合板
分子式：
CAS号：
性质：以二氧化双环戊二烯为基料充分浸渍玻璃布后叠层，并在加热加压条件下层合而成的板材。相对密度1.73。马丁耐热>300℃。拉伸强度344MPa，弯曲强度521MPa，压缩强度312MPa，冲击强度267kJ/m2。体积电阻率1.1×1014Ω·cm，介电常数(106Hz)4.9。由二氧化双环戊二烯与固化剂及其他辅料配成胶液后，充分浸渍玻璃布，再叠层并层合而得。主要作航空、机械、电子、汽车工业用结构件。
CAS号：
性质：以二氧化双环戊二烯为基料充分浸渍玻璃布后叠层，并在加热加压条件下层合而成的板材。相对密度1.73。马丁耐热>300℃。拉伸强度344MPa，弯曲强度521MPa，压缩强度312MPa，冲击强度267kJ/m2。体积电阻率1.1×1014Ω·cm，介电常数(106Hz)4.9。由二氧化双环戊二烯与固化剂及其他辅料配成胶液后，充分浸渍玻璃布，再叠层并层合而得。主要作航空、机械、电子、汽车工业用结构件。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条