1) drift step recovery transistor (DSRT)
漂移阶跃恢复晶体管
2) drift step recovery diodes
漂移阶跃恢复二极管
1.
Transmitter techniques for ultra-wideband ground penetrating radar based on drift step recovery diodes
基于漂移阶跃恢复二极管的超宽带探地雷达发射技术
3) DSRD
漂移阶跃恢复开关组件
4) step recovery diode(SRD)
阶跃恢复二极管
1.
The step voltage generation process and mechanism in the step recovery diode(SRD) were analyzed and a new SRD model was proposed based on the parallel connection of a nonlinear capacitance and a PN diode.
详细分析了阶跃恢复二极管(SRD)阶跃电压的产生过程和机理,提出了一种新的基于一个非线性电容和PN二极管并联的SRD模型。
5) step recovery diode
阶跃恢复二极管
1.
A new ultra-wideband(UWB) Gaussian pulse generator composed of a step recovery diode(SRD),a field-effect transistor(FET) and a Schottky diode was developed.
设计了一种超宽带高斯脉冲的脉冲发生器,此脉冲发生器主要由阶跃恢复二极管,FET管和肖特基二极管组成。
2.
Electrical characteristics of SRD(step recovery diode) are analyzed,and a model of SRD is proposed.
分析了阶跃恢复二极管(SRD)的电特性,提出了一种SRD模型。
3.
A voltage-switch model for step recovery diode(SRD) and its SPICE simulation parameters are presented.
给出了阶跃恢复二极管(SRD)的电压跃变模型以及SPICE仿真参数,分析讨论了基于SRD仿真模型的超宽带引信脉冲源的设计,并利用PSPICE仿真软件对设计的电路进行了仿真。
6) srd
阶跃恢复二极管
1.
The article starts with the elements of frequency multiplier, analyses the circuit structure of generating the comb spectrum, the computing of the circuit parameters for different parts, the choice of generator’s core device——step recovery diode (SRD), the input and output matching for generator’s circuit and self-bias settings and so on.
文章先从倍频器原理出发,分析和介绍了梳状谱发生电路的结构,电路中各部分的参数计算,发生器的核心器件——阶跃恢复二极管(SRD)的选择,发生器电路的输入输出匹配以及自给偏压的设置等。
2.
A novel ultra_wideband (UWB) pulse generator composed of a step recovery diode(SRD),Bipolar Transistor , a Schottky diode and microstrip was developed.
利用ADS软件对阶跃恢复二极管进行建模,并用其进行脉冲发生器的设计。
3.
A research on the electric characteristic of step recovery diode(SRD) excited by square wave was done in depth.
对阶跃恢复二极管(SRD)在方波激励下的电特性作了较为深入的研究,根据SRD的特性将其等效为可变结电容和普通pn二极管的并联,可变结电容的模型以SRD的外特性实测数据为依据,用三段线性结电容来拟合SRD的结电容。
补充资料：晶体管-晶体管逻辑电路
| 晶体管-晶体管逻辑电路 transistor-transistor logic 集成电路输入级和输出级全采用晶体管组成的单元门电路。简称TTL电路。它是将二极管-晶体管逻辑电路（DTL）中的二极管，改为使用多发射极晶体管而构成。TTL电路于1962年研制成功，基本门电路的结构和元件参数，经历了3次大的改进。同DTL电路相比，TTL电路速度显著提高，功耗大为降低。仅第一代TTL电路产品，就使开关速度比DTL电路提高5～10倍。采用肖特基二极管的第三代TTL电路，开关时间可缩短到3～5纳秒。绝大部分双极型集成电路，都是TTL电路产品。 |
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参考词条