1) nonlinearity
[,nɔnlini'æriti]
非线性性
1.
Its self-organization can be analysed in following aspects: openingness, nonlinearity, fluctuation and synergy.
现代企业制度是自组织系统,其自组织性可以从开放性、非线性性、涨落性、协同性四个方面来分析。
2.
Firstly,the walsh transform that deal with Boolean functions is modified in order to deal with multi-out -put function f(x):(1≤m≤n); Secondly,the degeneration,linear structures,nonlinearityand correlation immunity of multi-output functions are discussed.
首先对处理布尔函数的Ｗａｌｓｈ变换进行了修改，使其能应用于多输出函数ｆ（ｘ）：ＧＦ，（１≤ｍ≤ｎ）；其次对多输出函数的退化性、线性结构、非线性性和相关免疫性等密码学性质进行了讨论。
2) non-linearity
非线性性
1.
Chinese Stock Market s Model Analysis of the Inner Instability and Its Non-linearity Research;
我国股票市场内在不稳定性模型分析及非线性性研究
3) non-linearity
非线性，非线性度
5) nonlinear elasticity
非线性弹性
1.
A group of analytical solutions for the displacement of nonlinear elasticity plane;
非线性弹性平面位移问题的一组解析解
2.
To detect the quasicrystal anisotropy the nonlinear elasticity should be discussed.
利用对称性理论,分析了五次对称准晶的非线性弹性性质,计算了五次准晶的二个Laue类所有的三阶弹性常数,结果表明Laue 11(5 5)具有72个独立三阶弹性常数(12个属于声子场,10个属于相位子场,24个属于声子-声子-相位子耦合场,26个属于声子-相位子-相位子耦合场);Laue 12(5m,52,5 m)具有43个独立的三阶弹性常数,(10个属于声子场,5个属于相位子场,12个属于声子-声子-相位子耦合场,16个属于声子-相位子-相位子耦合场)。
3.
According to nonlinear theory,mixed-interpolation finite element method was used for large deformation-nonlinear elasticity analysis of flexible joint under certain tilt angle condition.
结合试验数据,采用Mooney-Rivlin模型模拟了柔性接头的弹性件材料;根据非线性理论,采用混合插值有限元法对某一摆角状态下的柔性接头进行了大变形非线性弹性分析,并在此基础上初步探讨了厚度不均匀弹性件对层间应力的影响。
6) non-linear elasticity
非线性弹性
1.
In 1973, Knowles and Sternberg gave a kind of constitutive relation for non-linear elasticity large deformation and analyzed the elastic crack tip field.
利用Knowles与Sternberg提出的非线性弹性大变形应变能函数，对橡胶楔体与刚性缺口接触问题进行了大变形渐近分析，推导了楔体尖端场的渐近方程，得到楔体尖端附近的应力应变场及应力的奇异性指数与橡胶楔体角度、刚性缺口角度及材料常数有关的表达式；楔尖附近同一半径上应力分量为常数。
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
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参考词条