说明:双击或选中下面任意单词,将显示该词的音标、读音、翻译等;选中中文或多个词,将显示翻译。
您的位置:首页 -> 词典 -> 射频(RF)反应溅射
1)  RF reactive sputter
射频(RF)反应溅射
2)  RF actively sputtering technique
RF反应溅射
1.
Highly oriented and transparent polycrystalline ZnO films prepared by RF actively sputtering technique;
RF反应溅射法制备高度取向生长的透明多晶ZnO薄膜
3)  reactive RF magnetron sputtering
反应RF磁控溅射
1.
Properties of amorphous SiO 2 films prepared by reactive RF magnetron sputtering method;
反应RF磁控溅射法制备非晶氧化硅薄膜及其特性研究
4)  reactive radio frequency sputtering
射频反应溅射
1.
Amorphous Al2O3 dielectric films have been fabricated by reactive radio frequency sputtering method.
利用射频反应溅射方法制备了Al2O3非晶薄膜,用椭圆偏振仪获得了薄膜的厚度,用高频C-V和变频C-V及J-V测量了薄膜的电学特性,用X射线以衍射(XRD)检测了薄膜的结构,用原子力显微镜(AFM)观察了薄膜的表面形貌。
5)  RF reactive sputtering
射频反应溅射
1.
The TaO x films with thickness greater than 200nm have been made on the substrate of WO 3/ITO/Glass by rf reactive sputtering processes with various oxygen contents.
利用射频反应溅射沉积方法在不同氧含量下以WO3/ITO/Glass为基体,制备了一系列厚度大于200nm的TaOx薄膜,并用Arnoldussen方法检测离子导电性能。
2.
The influence of reactive gas (O2) content and substrate temperature on the RF reactive sputtering deposited rate and optical characteristics for the SiO2 film was studied.
研究反应气体(O_2)含量及基片温度对射频反应溅射SiO_2膜光学性能及沉积速率的影响,并给出了膜层俄歇能谱分析结果。
3.
Titanium nitride film has been grown on glass substrate by RF reactive sputtering with a mixture of high purity argon and nitrogen used as sputtering and reactive gases,respectively.
用射频反应溅射的方法制备了 TiN 薄膜,其晶体结构与电阻率都与溅射气氛中 N_2分量有直接关系。
6)  RF reactive co-sputtering
射频反应共溅射
1.
Indium-doped zinc oxide films of various contents of In were deposited on silicon substrates by RF reactive co-sputtering.
通过射频反应共溅射法在硅衬底上制备了不同In掺杂量的ZnO薄膜,表征了薄膜的结构和表面形貌,研究了In掺杂量对znO薄膜的结构特性的影响。
补充资料:射频溅射
分子式:
CAS号:

性质:利用射频放电产生的离子轰击靶材进行溅射的镀膜技术。射频溅射装置主要由真空室、真空系统和射频溅射电源构成。溅射出来的靶材原子沉积在工件上形成镀层,射频溅射电源的频率规定为13.56MHz。在相同靶功率密度和工作气体压强的条件下,射频溅射的镀膜速率与直流溅射相近。其特点是可采用绝缘材料作靶,镀制陶瓷和高分子膜。由于射频溅射的镀膜速度低,并且射频辐射对人体有害,因而限制了它的广泛应用。

说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条