1) small angle interfacial
小角度界面
2) low angle boundary
小角度晶界
1.
The transverse tensile properties and fracture behaviour of the twist low angle boundary of DD6 single crystal superalloy were investigated at 760℃,850℃ and 980℃.
在760℃,850℃和980℃温度条件下,研究了DD6单晶高温合金扭转小角度晶界的横向拉伸性能和断裂特征。
3) small-angle boundary
小角边界;小角度晶间界
4) slightly weakened interface
小柔度界面
5) low-angle boundary
小角晶界
1.
Two kinds of low-angle boundary (mosaic structure) in Ce:YAP were observed by etching figures and rocking-curve.
通过腐蚀形貌和XRD摇摆曲线,观察到了垂直和平行于Ce:YAP[010]方向的两组晶面内存在的小角度晶界(镶嵌结构间界),根据SEM形貌估算出(010)面内小角晶界的夹角为51”;四晶XRD摇摆曲线的结果表明,平行于[010]向的晶面内小角晶界的夹角为58”;摇摆曲线的半峰宽为54”,根据Darwin理论算出理想晶体的半峰宽为17”,并由此分析了晶体的完整性。
6) low angle grain boundary
低角度晶界;小角晶粒间界
补充资料：Anglelapping角度研磨
angle lapping 的目的是为了测量junction的深度，所作的芯片前处理，这种采用光线干涉测量的方法就称之angle lapping。公式为xj=λ/2 nf即junction深度等于入射光波长的一半与干涉条纹数之乘积。但渐渐的随着vlsi组件的缩小，准确度及精密度都无法因应。如srp(spreading resistance prqbing)也是应用angle lapping的方法作前处理，采用的方法是以表面植入浓度与阻值的对应关系求出junction的深度，精确度远超过入射光干涉法。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条