1) recrystallization technology
再结晶技术
1.
This article presents and discusses main recrystallization technology of amorphous silicon thin films, including conventional furnace annealing, metal-induced crystallization, microwave-induced crystallization, rapid thermal annealing and laser crystallization.
论述了非晶硅薄膜的主要再结晶技术,包括传统的炉子退火、金属诱导晶化、微波诱导晶化、快速热退火和激光晶化。
2) RABiTS technology
辊轴再结晶技术
4) remelt junction
再结晶结
5) Controlling crystallization technology
控制结晶技术
6) Crash crystal
冲击结晶技术
补充资料：二次再结晶(见再结晶晶粒长大)
二次再结晶(见再结晶晶粒长大)
secondary recrystallization
erCI 201」le」Ing二次再结晶(seeondary reerystallization) 见再结晶晶杠长大。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条