1) electronic-grade bismuth oxide
电子级氧化铋
1.
The production flowsheet,controlling parameter a nd product quality of electronic-grade bismuth oxide produced from refined bismuth are introduced.
介绍了以精铋为原料生产电子级氧化铋的工艺流程、控制条件及产品质量 ,拟定的工艺由精铋熔融水淬—硝酸铋水解—硝酸氧铋转型—干燥—煅烧等工序组成 ,水解工序保证了产品的化学质量 ,转型工序使产品为松装比重低的软团聚粉体。
2) semiconductor hydrogen peroxide
电子级过氧化氢
1.
The present quality specifications of semiconductor hydrogen peroxide are introduced.
介绍了目前电子级过氧化氢的质量标准；分析了市场状况及其发展趋势；简述了工业生产中常用的几种生产方法。
2.
The direction ofthe research for semiconductor hydrogen peroxide is pointed out.
介绍了电子级过氧化氢产品用途、国内外生产与市场状况,指出我国在该领域与国外的差距;简述了树脂法-膜分离集成净化过氧化氢技术开发现状;并指出今后该技术的发展方向。
3) silica for electronic grade
电子级二氧化硅
4) bismuth and bismuth oxide
铋和氧化铋
1.
A microwave digestion-inductively coupled plasma-atomic emission spectrometric(ICP-AES)method was developed for the simultaneous determination of Cu,Fe,Pb,Ni and Cr in bismuth and bismuth oxide.
该法已应用于铋和氧化铋中上述5种杂质元素的测定。
5) Bi2O3
氧化铋
1.
Employing the physical vapor deposition method,Bi2O3 powder was heated to 1050 ℃ at normal pressure in a horizontal tube furnace with the protection of argon gas and oxygen,and then cooled and deposited naturally.
利用物理气相沉积法,在氩气和氧气保护下将氧化铋粉末在水平管式炉中常压加热至1050℃,然后降温沉积,在硅衬底上得到了大量具有规则矩形外形的二维纳米结构——片状氧化铋。
2.
Carbon nanotubes (CNTs) supporting bismuth oxide (Bi2O3) nanometer particle (Bi2O3/CNTs) was prepared by the microwave radiation method.
采用微波辐射法制备了沉积于碳纳米管(CNTs)表面的氧化铋(Bi2O3)纳米粒子(Bi2O3/CNTs),用扫描电子显微镜(SEM)、光电子能谱(XPS)和X射线衍射(XRD)对制备的Bi2O3/CNTs纳米粒子进行了表征。
3.
It was found that after annealing, tetragonal and non-stoichiometric phases were converted into pure monoclinic Bi2O3 by X-ray diffraction patterns.
利用化学水浴沉积法在室温下制备了多晶氧化铋薄膜,并在350℃的空气气氛条件下进行退火处理,得到纯的α-Bi2O3薄膜。
6) bismuth oxide
氧化铋
1.
Preparation of nanometer bismuth oxide from bismuth oxychloride via liquid-state transformational method and thermal properties of its precursor;
液相转化法从氯氧化铋制备纳米氧化铋及其前驱体的热解行为
2.
Preparation of ultrafine bismuth oxide by electrochemical method;
电化学方法制备超细氧化铋粉末
3.
Sduty on preparation of ultra-fine bismuth oxide powder by reversing-titration method;
反向滴定法制备超细氧化铋粉体的研究
补充资料：电子级四氟化钛
分子式： TiF4
CAS号：
性质：白色固体，吸湿性很强，与水反应发出嗤声。属于有毒物质。熔点123.89℃。升华点284℃。其制法是采用高纯金属钛粉直接氟化，反应产物在280～290℃进行升华纯化，可获得纯度达99％的四氟化钛产品。四氟化钛在微电子工业中用作化学气相沉积或离子注入形成硅化钛或钛膜，制作低电阻、高熔点的电路互连线和栅极。
CAS号：
性质：白色固体，吸湿性很强，与水反应发出嗤声。属于有毒物质。熔点123.89℃。升华点284℃。其制法是采用高纯金属钛粉直接氟化，反应产物在280～290℃进行升华纯化，可获得纯度达99％的四氟化钛产品。四氟化钛在微电子工业中用作化学气相沉积或离子注入形成硅化钛或钛膜，制作低电阻、高熔点的电路互连线和栅极。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条