1) power VDMOS device
功率VDMOS器件
1.
A total dose radiation hardened power VDMOS device is fabricated by growing the thin gate SiO2 after the P-body diffusion and using a double passivation layer (Si3N4-SiO2).
采用先形成P-body区再生长栅氧化层的新工艺流程和薄栅氧化层配合Si3N4-SiO2钝化层加固工艺,研制出一种抗总剂量辐照加固功率VDMOS器件。
2) Power VDMOS
功率VDMOS
1.
Power VDMOS(Vertical Double-Diffusion MOSFET)is the most favorable device available for high speed, medium power applications because of its characteristics such as high input impedance, high power gain, easy to drive and good thermal stability.
功率VDMOS(垂直双扩散MOSFET)以其高输入阻抗、高功率增益、驱动电路简单和热稳定性好等优点,在高速度和中等功率场合得到了广泛的应用。
3) VDMOS
VDMOS器件
1.
Gate Charge Test for Low Voltage High Current Power VDMOS;
低压大电流VDMOS器件栅电荷测量
2.
VDMOS is now one of the most popular power semiconductor devices.
VDMOS器件是当今功率半导体的主流器件之一,由于其价格便宜、高输入阻抗、低驱动功率、高开关速度、优越的频率特性以及很好的热稳定性等特点使得它在军用、民用电子工业上应用广泛。
4) High voltage power VDMOS
高压功率VDMOS
5) power component
功率器件
1.
Development of power component for EDM pulse generator;
电火花加工脉冲电源功率器件的研究进展
2.
Thermal design of power component and optimal design of heat sink;
功率器件热设计及散热器的优化设计
6) power devices
功率器件
1.
It s inevitable for electronic engineers to use power devices when they design circuits.
在模拟电路设计过程中难免会使用功率器件,如何处理和解决这些功率器件散热问题对于电路设计师来说非常重要,因为这些功率器件的工作温度将直接影响到整个电路的工作稳定性和安全性,文中首先介绍了功率器件的热性能指标,并根据作者的实际工作经验,介绍了功率器件的散热设计方法。
2.
The annual growth rate of the world-wide semiconductor sales is about 15%, and that of the traditional devices such as SCR and GTR is much less than the new power devices.
以 Ｓｍａｒｔ Ｐｏｗｅｒ为代表的新型功率器件集功率、控制和信息于一体，是今后发展的重点。
补充资料：大功率电力电子器件
大功率电力电子器件
power electronic devices
dagonglU dlonl一d.Qnz一ql]lon大功率电力电子器件(powe:eleetroniedevices)用于处理大容t电功率、能够控制电路通断的电子器件。由于都是半导体器件，故又称电力半导体器件(power semieonduetor deviees)。电力半导体器件是在20世纪50年代初发展起来的半导体学科中与徽电子、光电子并肩迅猛发展的一门高技术。它是电力电子技术的基础和重要组成部分。随着电力半导体器件品种的增多和技术水平的提高，它的应用范围也日渐扩大。其应用范围涉及电力工业(如直流愉电、灵活交流粉电系统)、工业电源(如感应加热、电焊机、大型电解电被设备)、交通运物(如机车牵引、电动汽车)、电机控制(如发电机励磁、交直流电动机的调速)、家用电器(如空调、电热)、通信电源等等。应用领城的佑求(如节能、节材、缩小体积重且)，要求器件的工作叔率、结构以及封装方式等不断扩大及更新，又促进了器件品种和水平的发展。 由于电力半导体器件处理的是能源，减少损耗提高效率是它主要追求的目标.为此，所有电力半导体器件无不工作在开关方式下，这是它与徽电子器件的根本区别.但在组成电路时又需要采取措施对开关方式带来的波形毛刺及谐波等电网公害进行处理。 1947年第一只晶体管的诞生开始了半导体电子学的新纪元。1956年研制成带有开关特性的晶闸管，为半导体在功率控制领域的发展显示了光明的前景。最早发展起来的器件有整流二极管(rectifier diode)和晶闸管(t ransistor)。它们曾经主宰电力电子市场20余年.其品种、规格为了适应市场的需要已经发展成一个魔大的系列。以晶闸管为例，已经派生出高压大电流晶闸管、光控晶闸管、高频快速晶闸管、逆导晶闸管、双向晶闸管、门极辅助关断晶闸管、非对称晶闸管等等。这些器件的功能只限于用门极控制电路的开通，故名半控型.自20世纪70年代末开始，由于采用了徽电子技术的工艺成就，制成了大功率晶体管(gianttransistor，GTR)和可关断晶闸管(gate turn一offthyristor，GTO)。这一类器件既能用门极控制开通又能控制关断，故名全控型. 上述器件都是以电子和空穴两种载流子的运动为基础的，所以这类器件被称为双极型器件(bipo肠rdevices)。由于器件工作时两种载流子的产生与复合描要时间，妨碍了器件工作频率的进一步提高。双极型器件一般只能工作在10kH:以下，最高的也只能工作到20~sokH:。由于技术发展，要求其颇率范围日益扩大。
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参考词条