1) bottom-gate
底栅
1.
Using bottom-gate construct, we design the layout and process parameters of hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) TFT that are fabricate under low temperature of 100℃.
采用底栅TFT结构并引入刻蚀阻挡层和钝化保护层,通过工艺参数和工艺流程的设计,研制了100℃低温氢化非晶硅TFT。
2) bottom stockade
底栏栅式
3) grille-bottom
底格栅
1.
The diversion characteristics of short-bar grille-bottom;
短杆型底格栅水力特性研究
4) grating substrate
光栅衬底
5) floor grating
底板格栅
6) frame work
格栅式底架
补充资料：阿钵底钵喇底提舍那
【阿钵底钵喇底提舍那】
（术语）A^patti-pratides/ana，忏悔之梵语，新译曰说非。寄归传二曰：“阿钵底者，罪过也。钵喇底提舍那，即对他说也，旧云忏悔。非关说罪。何者？忏摩乃是西音，自当忍义。悔乃东夏之字，追悔为目。悔之与忍回不相干。若的依梵本，诸除罪时，应云至心说罪。”饰宗记八本曰：“旧云忏悔。”
（术语）A^patti-pratides/ana，忏悔之梵语，新译曰说非。寄归传二曰：“阿钵底者，罪过也。钵喇底提舍那，即对他说也，旧云忏悔。非关说罪。何者？忏摩乃是西音，自当忍义。悔乃东夏之字，追悔为目。悔之与忍回不相干。若的依梵本，诸除罪时，应云至心说罪。”饰宗记八本曰：“旧云忏悔。”
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参考词条