1) inexact line search
非精确线性搜索
1.
The convergence for a new conjugate gradient method with an inexact line search of Wolfe;
非精确线性搜索的Wolfe搜索下的新共轭梯度法
2.
In this paper a new conjugate gradient method for a new βkwas proposed and the global convergence was proved with an inexact line search of Wolfe.
通过应用计算βk的新公式求得一种新的共轭梯度法,在非精确线性搜索的Wolfe准则下证明新的共轭梯度法的全局收敛性,并且数值实验表明了这种线搜索下算法的有效性。
3.
A new conjugate gradient algorithm with a new inexact line search is gived,the descent directions has produced in each iterative with the inexact line search.
文章给出了一种新的非精确线性搜索下的共轭梯度法,说明了在新线性搜索下每次迭代能够产生下降方向。
2) inexact line search
非精确线搜索
1.
Under some conditions,the global convergence property of DFP method with a class of new inexact line search is proved.
给出了一种较 Goldstein Armijor线搜索更广泛的新型非精确线搜索准则 ,并证明了在满足一定条件下 ,这种新型线搜索准则下 DFP算法的全局收敛性 。
2.
In this paper,based on the traditional Wolfe line search,we proposed a new inexact line search.
基于传统的Wolfe线搜索,提出了一种新的非精确线搜索。
3.
Certain convergence conditions for conjugate gradient method with some types of inexact line search are discussed.
在几类非精确线搜索下讨论一般共轭梯度法的收敛条件 ,运用此条件 ,对一类新算法的收敛性进行分
3) Goldstein rule
Goldstein非精确线搜索
1.
The Pesudo-Newton-B class methods with inexact line searches(Goldstein rule) for unconstrained optimization.
针对无约束优化问题,将Goldstein非精确线搜索技术引入伪Newton-B族算法。
4) Inexact Armijo Line-search
非精确Armijo线搜索
5) exact and inexact line search
精确与非精确线搜索
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条