1) secondary breakdown current
二次击穿电流
1.
The NMOS transistor ESD characteristics would be affected by such parameters as the hold voltage VH, hold current IH, trigger voltage VB, trigger current IB and secondary breakdown current.
NMOS管I-V曲线在ESD(electrostatic discharges)脉冲电流作用下呈现出反转特性,其维持电压VH、维持电流IH、触发电压VB、触发电流IB以及二次击穿电流等参数将会影响NMOS管器件的抗ESD能力。
2) second breakdown
二次击穿
1.
In this paper, the mechanism of the thermal and the electrical second breakdown of voltage regulator D574 were disscused.
本文分析了Ｄ５７４集成稳压器热二次击穿和电二次击穿的机理，详细论述了发生这两类二次击穿的条件和原因。
2.
A method to exact the electrical parameters and model the second breakdown action of MOSFET’s under ESD (Electro-Static Discharge) on circuit-level, using TCAD simulation, is presented.
采用一种利用TCAD仿真提取MOS器件在静电放电现象瞬间大电流情况下的电学参数,对MOS器件二次击穿行为进行电路级宏模块建模。
3.
A criterion for second breakdown is obtained,i.
得出了发生二次击穿的判据应以空穴电离率为准 ,而不是通常认为的以电子电离率为准的结论 ,并构造了一种准确、快捷地计算半导体器件反偏I-V特性曲线的方法。
3) the secondary breakdown region
二次击穿区
4) breakdown current
击穿电流
1.
Then,through analysing the value of breakdown current of series resonant device with variable frequency,it is considered that the breakdown current wouldn t hurt the object under test further.
重点分析了调频式串联谐振耐压装置现场试验时可能出现品质因数Q值上不去的原因及相应的防止措施,对该装置耐压试验击穿电流进行了详细的分析,指出其对被试品不会造成进一步的损伤。
5) current breakdown
电流击穿
6) prebreakdown current
预击穿电流，击穿前电流
补充资料：二次电流分布
分子式：
CAS号：
性质：存在阴极极化时，电流在电极表面的分布，又称实际电流分布(real current distribution)。它不仅与电极的几何位置有关(初次电流分布)，同时与溶液的导电性能及阴极极化作用的大小有关。可以证明，溶液的比电阻越小，阴极极化曲线的斜率越大，电流在电极上的分布越均匀。在电镀过程中，常通过加入添加剂，改善电镀溶液的导电性及增大阴极极化，使镀件表面获得较均匀的电流分布。
CAS号：
性质：存在阴极极化时，电流在电极表面的分布，又称实际电流分布(real current distribution)。它不仅与电极的几何位置有关(初次电流分布)，同时与溶液的导电性能及阴极极化作用的大小有关。可以证明，溶液的比电阻越小，阴极极化曲线的斜率越大，电流在电极上的分布越均匀。在电镀过程中，常通过加入添加剂，改善电镀溶液的导电性及增大阴极极化，使镀件表面获得较均匀的电流分布。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条