2) high temperature AlN template
高温AlN模板
1.
The growth,fabrication,and characterization of a solar-blind AlGaN-based p-i-n back-illuminated photodetector with a high temperature AlN template are reported for the first time.
在无需核化层的高温AlN模板上生长了p-i-n背照式日光盲探测器的无裂纹高Al组分(0。
3) AlN interlayer
高温AlN插入层
1.
Influence of high-temperature AlN interlayer on the electrical properties of AlGaN/GaN heterostructure and HEMTs
高温AlN插入层对AlGaN/GaN异质结材料和HEMTs器件电学特性的影响
4) aluminum nitride
AlN
1.
The wax based polymer binder in injection molding of aluminum nitride;
注射成形AlN高导热陶瓷蜡基粘结剂
2.
In the present work,the thermal conductivity of alumina was improved by adding aluminum nitride with high thermal conductivity.
本文选用导热系数较高的AlN来改善Al2O3陶瓷的导热性能;并借助SEM和XRD对材料的微观结构和物相进行了分析。
3.
The precipitation of aluminum nitride in low carbon aluminum-killed steels produced by TSCR is studied by means of heat treatment and chemical phase analysis.
利用热处理和化学相分析对薄板坯连铸连轧低碳铝镇静钢中AlN的沉淀析出行为进行了试验研究。
5) low-temperature AlN interlayer
低温AlN插入层
6) AlN-Al3Ti
AlN-Al_3Ti
1.
An advanced method of producing AlN-Al3Ti/ZL101 in-situ composite is described in this paper.
研究了AlN-Al_3Ti/ZL101原位复合材料的制备工艺,采用OM,SEM及TEM对该材料的微观结构进行了研究,用MTS800力性试验机测试了材料的力学性能。
补充资料：aluminium nitride material AlN
分子式：
CAS号：
性质： 该材料有陶瓷型和薄膜型两种。氮化铝热导率高、绝缘性能好，电阻率高达4×106Ω·cm。热膨胀系数小(2.65～3.80)×10-6K-1，化学性能稳定，在1000℃时才与空气发生氧化。在真空中可稳定到1500℃。致密型氮化铝是抗水的，几乎不与浓无机酸发生反应。密度为3.26g/cm3，熔点2400℃，弹性模量为300～310GPa，抗弯强度为280～350MPa，莫氏硬度为8。A1N陶瓷用粉末冶金法制得。氮化铝薄膜用反应溅射法制得。A1N陶瓷片用于大功率半导体集成电路和大功率的厚膜电路，A1N薄膜用于薄膜器件的介质和耐磨、耐热、散热好的材料表面镀层。
CAS号：
性质： 该材料有陶瓷型和薄膜型两种。氮化铝热导率高、绝缘性能好，电阻率高达4×106Ω·cm。热膨胀系数小(2.65～3.80)×10-6K-1，化学性能稳定，在1000℃时才与空气发生氧化。在真空中可稳定到1500℃。致密型氮化铝是抗水的，几乎不与浓无机酸发生反应。密度为3.26g/cm3，熔点2400℃，弹性模量为300～310GPa，抗弯强度为280～350MPa，莫氏硬度为8。A1N陶瓷用粉末冶金法制得。氮化铝薄膜用反应溅射法制得。A1N陶瓷片用于大功率半导体集成电路和大功率的厚膜电路，A1N薄膜用于薄膜器件的介质和耐磨、耐热、散热好的材料表面镀层。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条