1) SIMOX
注氧隔离
1.
Silicon ion implantations was used to improve SIMOX SOI substrate.
采用硅离子注入工艺对注氧隔离(SIMOX)绝缘体上硅(SOI)材料作出改性,分别在改性材料和标准SIMOXSOI材料上制作部分耗尽环型栅CMOS/SOI器件,并采用10keVX射线对其进行了总剂量辐照试验。
2.
Silicon ion implantion was used to improve SIMOX substrate.
采用硅离子注入工艺对注氧隔离(SIMOX)材料进行改性,在改性材料和标准SIMOX材料上制作了部分耗尽环型栅CMOS/SOI反相器,并对其进行60Coγ射线总剂量辐照试验。
3.
The effect of total-dose irradiation with a 10keV X-ray source on separation by implanted oxygen(SIMOX)SOI MOSFET was studied.
研究了以10keV X射线为辐照源对注氧隔离(SIMOX)SOI MOSFET器件进行辐照的总剂量效应。
2) SIMQX
注氧隔离SOI
3) separated by implanting oxygen a nd nitrogen
氮氧共注隔离
4) separation by implanted oxygen(SIMOX)
注入氧隔离(SIMOX)
5) Oxidation enhanced SIMOX
氧化增强注氧隔离技术
6) CAP-SIMOX
掩盖注氧隔离技术
补充资料：2-[2-[2-(2-苯氧乙氧基]乙氧基]乙氧基]乙醇
CAS：36366-93-5
分子式：C14H22O5
中文名称：2-[2-[2-(2-苯氧乙氧基]乙氧基]乙氧基]乙醇
英文名称：Ethanol,2-[2-[2-(2-phenoxyethoxy)ethoxy]ethoxy]
2-(2-(2-(2-phenoxyethoxy)ethoxy)ethoxy)-ethanol
tetraethylene glycol monophenyl ether
分子式：C14H22O5
中文名称：2-[2-[2-(2-苯氧乙氧基]乙氧基]乙氧基]乙醇
英文名称：Ethanol,2-[2-[2-(2-phenoxyethoxy)ethoxy]ethoxy]
2-(2-(2-(2-phenoxyethoxy)ethoxy)ethoxy)-ethanol
tetraethylene glycol monophenyl ether
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条