1) CdZnTe film
碲锌镉薄膜
1.
The LPE CdZnTe films on CdZnTe substrate show good composition and uniformity,good crystal quality.
文章报道了采用液相外延方法,在碲锌镉衬底上进行碲锌镉薄膜缓冲层生长的情况,并且采用X光双晶衍射仪、X光形貌仪、红外傅里叶光谱仪、二次离子质谱仪等手段对碲锌镉薄膜进行了表征,碲锌镉薄膜具有较好地组分及均匀性,晶体结构质量也较好。
2) CdTe thinfilm
碲镉薄膜
3) HgCdTe film
碲镉汞薄膜
1.
Metalorganic chemical vapour phase deposition (MOCVD) is a very important technique to grow high quality HgCdTe films for fabrication of infrared focal plane arrays (IRFPAs).
文中讨论了汞源温度、生长温度、衬底材料及互扩散多层工艺 (IMP)等因素在MOCVD外延生长碲镉汞薄膜过程中的作用机理 ,并选择合适的生长条件获得了质量优良的碲镉汞薄膜。
2.
Large area n-on-p structures of p-n junction with different proton implantation doses are fabricated on the moleculer beam epitaxial grown HgCdTe films for mid-infrared wavelength region.
基于中波响应波段的分子束外延碲镉汞薄膜材料成功制备出不同质子注入剂量的大光敏元 ( 5 0 0 μm× 5 0 0 μm)的n on p结构的p n结 ,并对相应的p n结的电流 电压 (I V)特性进行了研究 。
4) ZnS 1-x Te x alloy thin film
碲硫锌薄膜
5) Hg_(1-x)Cd_xTe epilayers
碲镉汞外延薄膜
6) CdZnTe
碲锌镉
1.
Research on Growth and Properties of CdZnTe Single Crystal;
优质碲锌镉单晶的生长及性能测试
2.
Evolution of Solid-liquid Interface of CdZnTe Crystal Growth by Vertical Bridgman Method;
碲锌镉垂直布里奇曼法晶体生长过程固液界面的演化
3.
Morphology characteristics of etch pits on CdZnTe crystals developed by usual etchants;
碲锌镉晶体常用腐蚀剂的坑形特性研究
补充资料：碲化镉
分子式：
CAS号：
性质：周期表第II，VI族元素化合物半导体。强离子性的共价键结合。立方晶系闪锌矿型结构，晶格常数0.6477nm，为复式晶格。密度5.86g/cm3。熔点1098℃。室温禁带宽度1.50eV。电子和空穴迁移率分别为6×10-2和6.5×10-3/(V·s)。采用区域熔炼法、高压熔融法制备单晶。用于制作近红外光探测器、γ和X射线谱仪、电光调制器等。
CAS号：
性质：周期表第II，VI族元素化合物半导体。强离子性的共价键结合。立方晶系闪锌矿型结构，晶格常数0.6477nm，为复式晶格。密度5.86g/cm3。熔点1098℃。室温禁带宽度1.50eV。电子和空穴迁移率分别为6×10-2和6.5×10-3/(V·s)。采用区域熔炼法、高压熔融法制备单晶。用于制作近红外光探测器、γ和X射线谱仪、电光调制器等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条